[发明专利]化学机械研磨后残留物的去除方法无效
| 申请号： | 200910052550.7 | 申请日： | 2009-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101908465A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 黄孝鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B3/08;B08B3/02;B08B1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 残留物 去除 方法 | ||
1.一种化学机械研磨后残留物的去除方法，包括：
提供一化学机械研磨后的晶片；
使用化学清洗液清洗所述晶片；
使用去离子水冲洗所述晶片；
再次使用所述化学清洗液清洗所述晶片。
2.如权利要求1所述的化学机械研磨后残留物的去除方法，其特征在于，所述化学清洗液为柠檬酸溶液。
3.如权利要求2所述的化学机械研磨后残留物的去除方法，其特征在于，所述柠檬酸溶液的浓度为0.6％至1.6％。
4.如权利要求1所述的化学机械研磨后残留物的去除方法，其特征在于，使用化学清洗液清洗所述晶片的时间为10秒至30秒。
5.如权利要求1所述的化学机械研磨后残留物的去除方法，其特征在于，再次使用所述化学清洗液清洗所述晶片的时间为10秒至30秒。
6.如权利要求1所述的化学机械研磨后残留物的去除方法，其特征在于，使用去离子水冲洗所述晶片的时间为5秒至20秒。
7.如权利要求1所述的化学机械研磨后残留物的去除方法，其特征在于，再次使用所述化学清洗液清洗所述晶片之后，还包括：再次使用去离子水冲洗所述晶片并甩干的步骤。
8.如权利要求1所述的化学机械研磨后残留物的去除方法，其特征在于，使用化学清洗液清洗所述晶片的同时使用毛刷擦洗所述晶片。
9.如权利要求1所述的化学机械研磨后残留物的去除方法，其特征在于，再次使用所述化学清洗液清洗所述晶片的同时使用毛刷擦洗所述晶片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
