[发明专利]在硅片上复合ZnO锥状纳米结构的半导体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种在硅片上复合ZnO锥状纳米结构的半导体材料，包括衬底，其特征在于该衬底采用硅片，其表面生长有ZnO晶体；所述的ZnO晶体沿垂直于硅衬底方向生长；所述的ZnO晶体为六角纤锌矿尖锥型结构，长度为5-10μm，底端直径为3～6μm，尖端为100～150nm。

2.一种权利要求1所述半导体材料的制备方法，其特征在于该方法包括以下具体步骤：

a、配制反应溶液：将醋酸锌粉末溶于水中，再加入氨水，调节溶液的pH值在7.2～8；

b、在硅片上生长ZnO锥状纳米结构：先将清洗干净的硅片放入高压釜中，再将上述的溶液倒入高压釜，将高压釜密封好后放入鼓风干燥箱，在50～70℃温度下保持反应5～7小时，自然降温后，即制得在硅片上复合ZnO锥状纳米结构的半导体材料。