[发明专利]半导体存储器的制造方法有效
| 申请号： | 200910052647.8 | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101908508A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张翼英;洪中山;王友臻;周儒领 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/312;H01L21/311;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘诚午;李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 制造 方法 | ||
1.一种半导体存储器的制造方法，其特征在于，包括步骤：
在半导体衬底上形成栅极；
在所述半导体衬底上沉积多晶硅层，所述多晶硅层的顶面距离所述半导体衬底的最小高度小于所述栅极的高度，而所述多晶硅层的顶面距离半导体衬底的最大高度大于所述栅极的高度，从而所述多晶硅层形成高低起伏；
在所述多晶硅层之上形成至少填充所述多晶硅层凹陷的有机物层；
刻蚀所述有机物层和所述多晶硅层至所述多晶硅层的顶面距离所述半导体衬底的最大高度小于所述栅极的高度；
去除剩余的有机物层。
2.如权利要求1所述的半导体存储器的制造方法，其特征在于：所述有机物层与所述多晶硅的刻蚀比为1至1.5。
3.如权利要求1所述的半导体存储器的制造方法，其特征在于，形成所述有机物层的方法具体为：
旋涂的有机物层；
固化所述有机物层。
4.如权利要求1、2或3所述的半导体存储器的制造方法，其特征在于，形成所述有机物层的材料为有机底部抗反射材料。
5.如权利要求1所述的半导体存储器的制造方法，其特征在于：所述栅极的顶部具有刻蚀阻挡层。
6.如权利要求1所述的半导体存储器的制造方法，其特征在于，还包括步骤：刻蚀所述多晶硅层，形成字线。
7.如权利要求1所述的半导体存储器的制造方法，其特征在于：刻蚀所述有机物层和所述多晶硅层为等离子体刻蚀，形成所述等离子体形成刻蚀等离子体的气体至少包含HBr、Cl2、CF4和He，其中，HBr的流量为40sccm至100sccm，Cl2的流量为30sccm至70sccm，CF4的流量为20sccm至50sccm，He的流量为150sccm至300sccm；刻蚀的压力为10mTorr至50mTorr；射频功率为300W至800W；偏移电压为100V至400V。
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