[发明专利]一种多阈值高压MOSFET器件有效

申请号：	200910052701.9	申请日：	2009-06-09
公开（公告）号：	CN101635310A	公开（公告）日：	2010-01-27
发明（设计）人：	黎坡;张拥华;周建华;彭树根	申请（专利权）人：	上海宏力半导体制造有限公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L29/51;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336
代理公司：	上海智信专利代理有限公司	代理人：	王洁
地址：	201203上海市***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种阈值高压 mosfet 器件
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【权利要求书】：

1.一种多阈值高压MOSFET器件，包括栅电极、栅介质层、源极、漏极、偏移区以及半导体衬底，所述多阈值高压MOSFET器件的工作电压大于或等于12伏，其特征在于，所述栅电极构图形成于栅介质层之上，所述栅介质层包括被栅电极覆盖的第一部分栅介质层和未被栅电极覆盖的第二部分栅介质层，通过栅电极的构图修改第二部分栅介质层与第一部分栅介质层的面积比，以调整所述多阈值高压MOSFET器件的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的多阈值高压MOSFET器件，其特征在于，还包括分别置于源极和栅介质层之间、漏极和栅介质层之间的浅沟槽隔离层。

3.根据权利要求2所述的多阈值高压MOSFET器件，其特征在于，所述浅沟槽隔离层为SiO₂，所述浅沟槽隔离层的厚度大于栅介质层的厚度。

4.根据权利要求1所述的多阈值高压MOSFET器件，其特征在于，所述栅介质层的厚度范围为0.03微米到1微米。

5.根据权利要求1所述的多阈值高压MOSFET器件，其特征在于，所述栅电极为多晶硅栅电极或金属栅电极。

6.根据权利要求1所述的多阈值高压MOSFET器件，其特征在于，所述栅介质层为SiO₂或者Si₃N₄或者高k介质层。

7.根据权利要求1所述的多阈值高压MOSFET器件，其特征在于，通过栅电极的构图，所述栅电极中形成若干条间隙，间隙之下的栅介质层为第二部分栅介质层。

8.根据权利要求7所述的多阈值高压MOSFET器件，其特征在于，所述间隙平行于多阈值高压MOSFET器件的沟道的长的方向。

9.根据权利要求7所述的多阈值高压MOSFET器件，其特征在于，所述间隙平行于多阈值高压MOSFET器件的沟道的宽的方向。

10.根据权利要求7所述的多阈值高压MOSFET器件，其特征在于，所述间隙与多阈值高压MOSFET器件的沟道的长的方向成一定角度θ，0°＜θ＜90°。

11.根据权利要求7所述的多阈值高压MOSFET器件，其特征在于，所述间隙相互平行，每个间隙的间距相等。

12.根据权利要求7所述的多阈值高压MOSFET器件，其特征在于，所述间隙的间距与栅介质层的厚度的比值范围为0.1至3。

13.根据权利要求1所述的多阈值高压MOSFET器件，其特征在于，所述栅电极作为一个整体分布于栅介质层的正上方，栅电极的面积小于栅介质层的面积。