[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制作方法

权利要求书

1.浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：

S1：在半导体基底上形成所述浅沟槽；

S2：在所述浅沟槽侧壁和底部生长衬垫氧化层；

S3：在所述浅沟槽内以及半导体基底上生长绝缘介质；

S4：对所述绝缘介质的表面进行研磨和湿法刻蚀处理；

S5：在所述绝缘介质周围生长保护氧化层；

S6：进行退火处理；

S7：使用干刻蚀法去除半导体基底上的保护氧化层；

S8：在所述浅沟槽内的绝缘介质两侧的所述半导体基底材料上沉淀牺牲 氧化层。

2.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于所述步 骤S1中采用干刻蚀法在所述半导体基底材料上形成所述浅沟槽。

3.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于所述退 火处理的退火温度范围为800℃至1000℃之间。

4.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于所述绝 缘介质为氧化硅。

5.根据权利要求1所述浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于所述牺 牲氧化层材料为二氧化硅。