[发明专利]快闪存储器制造方法有效
| 申请号： | 200910052805.X | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101924075A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 蒙飞;李志国;林竞尧;王培仁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/265;H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 制造 方法 | ||
1.一种快闪存储器制造方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供一包括半导体衬底、绝缘介质层、多晶硅层、氮化硅层和氧化层侧墙的结构，所述绝缘介质层、多晶硅层、氮化硅层依次形成于半导体衬底上并且其中开设有数个凹槽，所述氧化层侧墙覆盖在凹槽的侧面、底面以及氮化硅层的表面上；
对上述结构进行第一类型离子注入，对应每个凹槽形成一条位线；
对上述结构进行退火处理；
每间隔预定数量条位线设置一条隔离位线，所述隔离位线通过对进行过第一类型离子注入的位线进行第二类型离子注入而形成。
2.根据权利要求1所述的快闪存储器制造方法，其特征在于，所述绝缘介质层的材料为氧化硅、氧化硅-氮化硅或氧化硅-氮化硅-氧化硅。
3.根据权利要求1所述的快闪存储器制造方法，其特征在于，所述氧化层侧墙的材料为氧化硅。
4.根据权利要求1所述的快闪存储器制造方法，其特征在于，所述形成隔离位线的步骤包括：
在第一次离子注入并退火后的结构上形成一层光阻；
通过曝光和显影，去除对应于隔离位线位置处的光阻形成开口；
利用光阻作为掩膜，在开口处进行第二类型离子注入形成隔离位线。
5.根据权利要求4所述的快闪存储器制造方法，其特征在于，所述开口的宽度为100nm～500nm。
6.根据权利要求1所述的快闪存储器制造方法，其特征在于，每间隔16～50条位线设置一条隔离位线。
7.根据权利要求1所述的快闪存储器制造方法，其特征在于，所述第一类型离子为N型离子，第二类型离子为P型离子。
8.根据权利要求1所述的快闪存储器制造方法，其特征在于，所述第二类型离子注入包括依次进行氟化硼离子或硼离子注入和铟离子注入。
9.根据权利要求8所述的快闪存储器制造方法，其特征在于，所述氟化硼离子注入的注入能量为110Kev～130Kev。
10.根据权利要求8所述的快闪存储器制造方法，其特征在于，所述氟化硼离子注入的注入量为8E+13atoms/cm2～4E+14atoms/cm2。
11.根据权利要求8所述的快闪存储器制造方法，其特征在于，所述硼离子注入的注入能量为75Kev～90Kev。
12.根据权利要求8所述的快闪存储器制造方法，其特征在于，所述硼离子注入的注入量为9E+12atoms/cm2～3E+13atoms/cm2。
13.根据权利要求8所述的快闪存储器制造方法，其特征在于，所述铟离子注入的注入能量为40Kev～80Kev。
14.根据权利要求8所述的快闪存储器制造方法，其特征在于，所述铟离子注入的注入量为8E+15atoms/cm2～1.5E+16atoms/cm2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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