[发明专利]一种基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结构的存储器单元无效
| 申请号： | 200910053202.1 | 申请日： | 2009-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN101593755A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 江安全;翁旭东 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 反铁电 薄膜 氧化物 半导体 场效应 结构 存储器 单元 | ||
1.基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结构的存储器单元， 其特征在于，包括：衬底；金属氧化物层，反铁电薄膜，栅电极；
所述金属氧化物层置于衬底表面；
所述反铁电薄膜置于金属氧化物层远离衬底的表面；
所述栅电极置于反铁电薄膜远离金属氧化物层的表面。
2.按利要求1所述的基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结 构的存储器单元，其特征在于，所述衬底选自于P型硅、N型硅、锗、砷化镓中 的一种。
3.按利要求1所述的基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结 构的存储器单元，其特征在于，所述金属氧化物选自于氧化铝、氧化铪、氧化钛 和氧化铌中的一种。
4.按利要求1所述的基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结 构的存储器单元，其特征在于，所述金属氧化物厚度为2～30nm。
5.按利要求1所述的基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结 构的存储器单元，其特征在于，所述反铁电薄膜材料选自于锆酸铅、铪酸铅、铌 酸钠、磷酸二氢铵、碘酸铵及三氧化钨中的一种。
6.按利要求1所述的基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结 构的存储器单元，其特征在于，所述反铁电薄膜厚度为20～300nm。
7.按利要求1所述的基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结 构的存储器单元，其特征在于，所述栅电极材料选自于多晶硅、铂、金、铝、铱、 金属硅化物中的一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
