[发明专利]表面等离子体纳米光刻法无效
| 申请号： | 200910053319.X | 申请日： | 2009-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101587296A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李海华 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 等离子体 纳米 光刻 | ||
【权利要求书】：
1、一种表面等离子体纳米光刻法，其特征在于，包括如下步骤：
第一步、采用化学腐蚀工艺制备纳米尺度石英掩模板；
第二步、在基板上沉积一层金属薄膜作为掩模板，该金属薄膜是指厚度为30～60纳米的金、银或铝制薄膜；
第三步、在硅片上甩涂一层厚度为：100～200纳米的光刻胶；
第四步、通过平行紫外光透过掩模板，在近场条件下对涂有光刻胶的基底进行接触式曝光，实现图形的加工；
第五步、利用沉积银膜的石英模板作为掩模板，用光刻机进行接触式曝光；
第六步、进行显影，显影时间为20～45秒。
2、根据权利要求1所述的表面等离子体纳米光刻法，其特征是，所述的化学腐蚀工艺，通过控制化学腐蚀速率0.1nm/s～1nm/s，得到尺度小于100纳米的石英模板。
3、根据权利要求1所述的表面等离子体纳米光刻法，其特征是，所述的基板是指：玻璃板或石英板。
4、根据权利要求1所述的表面等离子体纳米光刻法，其特征是，所述的光刻胶是指：半导体光刻胶、金属光刻胶或绝缘体光刻胶。
5、根据权利要求1所述的表面等离子体纳米光刻法，其特征是，第五步中所述的接触式曝光的曝光时间为：30～60秒。
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