[发明专利]一种解决SRAM模块闩锁问题与增强SRAM模块可靠性的方法

权利要求书

1.一种解决SRAM模块闩锁问题以及增强SRAM模块可靠性的方法，其 特征在于，所述方法是对星载计算机中CPU的程序存储区与重要数据存储区 的SRAM模块的保护，每个所述SRAM模块单独连接有一个电源模块，所述 电源模块包含一电源芯片，所述电源芯片为LDO MAX883芯片，对所述SRAM 模块的电压进行监控并独立控制，当SRAM模块发生闩锁事件时，会产生很 大的闩锁电流，从而拉低电源芯片的VCC_MEM端的电压，使之低于5V，电 源芯片内部提供了一个低电压比较器；电源芯片的MEN_LU端接入FPGA控 制器，用于监控SRAM模块的供电情况，当电源芯片的MEM_LU端出现低电 平时，FPGA控制器可以通过电源芯片的MEM_OFF端关断发生闩锁的SRAM 模块的电源，使其不影响其它SRAM模块的正常工作，过一段时间后，再将 其电源通过电源芯片的MEM_SET端打开，再进行刷新以及其它操作；所述星 载计算机中的CPU控制模块通过FPGA控制器对所述SRAM模块进行译码与 编解码操作。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述FPGA控制器通过RS 编解码电路对所述SRAM模块进行译码与编解码操作，有效防止了CPU控制 模块的损坏对系统的影响。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述FPGA控制器采用单片 反熔丝FPGA或FLASH型FPGA。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述FPGA控制器还包括一 自刷新模块，当CPU控制模块失效重置后，对所述SRAM模块进行刷新。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述FPGA控制器在操作时， 若发生单字节错误则直接纠错，若错误数目为双字节，则不纠错而直接报告给 控制逻辑以进行重试操作，有效防止了电路干扰。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电源芯片的VCC端连接 电源输入，所述电源芯片的VCC_MEM端直接向所述SRAM模块供电，所述 电源芯片的VCC_MEM端通过一分压电路后反馈输入所述电源芯片的 MEN_SENSE端。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，为了方便检测所述电源模块， 在所述电源芯片的VCC_MEM端添加了一个发光二级管和一个短路跳线用来 模拟单粒子闩锁产生的大电流。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述FPGA控制器包含CPU 接口电路、自刷新电路、编码电路、解码电路、SRAM控制电路、UART数据 传输电路、定时电路、SRAM电压监控电路、单、双错计数电路和SEL计数 电路；所述FPGA控制器通过所述CPU接口电路与所述CPU控制模块连接， 所述CPU接口电路分别与所述编码电路、解码电路、UART数据传输电路、 定时电路、单、双错计数电路和SEL计数电路连接，所述自刷新电路分别与 所述编码电路和解码电路连接，所述SEL计数电路通过所述SRAM电压监控 电路与所述SRAM控制电路连接，所述SRAM控制电路与所述编码电路连接， 所述单、双错计数电路与所述解码电路连接。