[发明专利]钝化光刻胶表面的方法以及光刻方法有效
| 申请号： | 200910053501.5 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101930179A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;黄怡;韩秋华;沈满华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;H01L21/3105;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钝化 光刻 表面 方法 以及 | ||
1.一种钝化光刻胶表面的方法，包括如下步骤：
提供半导体衬底；
在半导体衬底表面形成图形化的光刻胶层；
对所述图形化的光刻胶层的表面进行等离子体处理以钝化其表面；
其特征在于，通过光刻胶层表面的气体中含有氮气和氢气。
2.根据权利要求1所述的钝化光刻胶表面的方法，其特征在于，所述氮气与氢气的分子数目的比值范围是2至3。
3.根据权利要求1或2所述的钝化光刻胶表面的方法，其特征在于，所述氮气和氢气的总气体流量为200sccm至300sccm。
4.根据权利要求1或2所述的钝化光刻胶表面的方法，其特征在于，所述激发气体至等离子体的步骤中，激发所采用的源功率大于800W，偏置功率为0。
5.根据权利要求1或2所述的钝化光刻胶表面的方法，其特征在于，所述等离子体处理步骤的持续时间不低于20秒。
6.根据权利要求1或2所述的钝化光刻胶表面的方法，其特征在于，所述等离子体处理的过程中，环境气压的范围是5至40帕。
7.一种光刻方法，包括如下步骤：
提供半导体衬底；
在半导体衬底表面形成光刻胶层；
图形化所述光刻胶层；
对所述图形化的光刻胶层的表面进行等离子体处理以钝化其表面；
以经过表面处理的图形化光刻胶层为掩模，刻蚀半导体衬底；
其特征在于，通过光刻胶层暴露表面的气体中含有氮气和氢气。
8.根据权利要求7所述的光刻方法，其特征在于，所述氮气与氢气的分子数目的比值范围是2至3。
9.根据权利要求7或8所述的光刻方法，其特征在于，所述氮气和氢气的总气体流量为200sccm至300sccm。
10.根据权利要求7或8所述的光刻方法，其特征在于，所述激发气体至等离子体的步骤中，激发所采用的源功率大于800W，偏置功率为0。
11.根据权利要求7或8所述的光刻方法，其特征在于，所述等离子体处理步骤的持续时间不低于20秒。
12.根据权利要求7或8所述的光刻方法，其特征在于，所述等离子体处理的过程中，环境气压的范围是5至40帕。
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