[发明专利]一种电熔丝器件及其制造方法

权利要求书

1、一种电熔丝器件，设置在衬底的一绝缘层上，其包括多晶硅层以及形成在多晶硅层上的硅化物层，所述多晶硅层具有依次排布的第一引出区、中间区和第二引出区，其特征在于，所述第一引出区与第二引出区的掺杂类型相同，与中间区的掺杂类型相反。

2、如权利要求1所述的电熔丝器件，其特征在于，所述硅化物层上还形成有一介质层，所述介质层对应第一和第二引出区分别设置有贯通至硅化物层的接触孔，所述接触孔中形成有电性连接至硅化物层的金属插塞。

3、如权利要求1所述的电熔丝器件，其特征在于，所述硅化物层为硅化钛、硅化钴、硅化镍、硅化钽或硅化钨。

4、如权利要求1所述的电熔丝器件，其特征在于，所述第一引出区与第二引出区为N型掺杂，所述中间区为P型掺杂。

5、如权利要求1所述的电熔丝器件，其特征在于，所述第一引出区与第二引出区为P型掺杂，所述中间区为N型掺杂。

6、如权利要求1所述的电熔丝器件，其特征在于，所述硅化物层的厚度范围为100至1000埃。

7、一种用于制造如权利要求1所述的电熔丝器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：a、在衬底的一绝缘层上形成多晶硅层；b、采用离子注入工艺在多晶硅层内依次形成第一引出区、中间区和第二引出区，所述第一引出区与第二引出区的掺杂类型相同，与中间区的掺杂类型相反；c、在多晶硅层上形成硅化物层。

8、如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：d、在硅化物层上沉积一介质层；e、在该介质层上制作贯通至硅化物层的接触孔；f、在接触孔中制作金属插塞。