[发明专利]高温液相加热晶化方法及装备

权利要求书

1.一种高温液相加热晶化方法，其特征在于将需要晶化的由非晶薄膜(3)和衬底(4)组成的基板(2)放在一个盛高温液体的槽(5)中，并浮在该槽(5)内盛有的高温金属或非金属液体(1)上面，该系统整个置于高真空或惰性气氛或还原气氛下由加热器(6)加热槽(5)内的金属或非金属液体(1)使之达到摄氏500度到1000度之间，在1分钟到20小时之间进行晶化，然后降温到摄氏250度到300度之间，取出基板(2)。

2.根据权利要求1所述的高温液相加热晶化方法，其特征在于采用一个推动系统推动基板(2)，以实现对非晶薄膜的连续不断的晶化。

3.根据权利要求1所述的高温液相加热晶化方法，其特征在于所述高温金属为下面的任一种金属：Sn、In、Ga、Ni、Sb、Pb、Al、Ag、Au、Pd、Cu、Co、Cr、Mo、Ti、Cd、Pt、Ru、Rh，Bi，或者是所列金属之间的多元合金，其合金的比例在1ppm到30％之间。

4.根据权利要求1所述的高温液相加热晶化方法，其特征在于所述非金属是金属氧化物、卤素化合物、硫化物或氢氧化物。

5.根据权利要求2所述的高温液相加热晶化方法，其特征在于所述衬底(4)材料是玻璃或者石英片或者透明陶瓷。

6.根据权利要求1所述的高温液相加热晶化方法，其特征在于所述需要晶化的非晶薄膜是非晶Si、非晶Ge、非晶III-V族半导体、非晶氧化物半导体、非晶硫化物半导体或非晶有机半导体薄膜。

7.根据权利要求1所述的高温液相加热晶化方法，其特征在于所述带有非晶薄膜(3)的基板(2)的非晶硅薄膜(3)的面向下与高温的金属或非金属液体(1)接触，传导热来使非晶薄膜晶化。

8.根据权利要求1所述的高温液相加热晶化方法，其特征在于所述带有非晶薄膜(3)的基板(2)的非晶薄膜(3)的面向下与高温的金属或非金属液体(1)接触，在高温作用下实现金属诱导晶化的效果。

9.根据权利要求1所述的高温液相加热晶化方法，其特征在于所述的高温金属液体槽内的金属液体温度是由低调到高和由高调到低逐步变化的，而在金属表面的衬底(40)是沿温度变化方向移动的，从而实现连续的生产。

10.一种高温液相加热晶化设备，应用于根据权利要求1所述的高温液相加热晶化方法，包括一个盛高温液体的槽(5)和一个加热器(6)，其特征在于在所述槽(5)内盛有高温的金属或非金属液体(1)，在高温金属或非金属液体上面有由需要晶化的非晶薄膜(3)和衬底(4)组成的基板(2)，此液体中还插入进行局部加热的加热器(7)和绝热板(8)以形成局部的高温区，有一个推动系统包括导入辊(11)、隔离块(10)和导出辊(12)来推动基板(2)移动，能使该基板(2)的非晶薄膜(3)可连续不断的进行晶化。