[发明专利]MOS晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 200910054099.2 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101930923A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 制作方法 | ||
1.一种MOS晶体管的制作方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅介质层和多晶硅层；
对栅介质层和多晶硅层进行刻蚀；
对刻蚀后的多晶硅层进行氧化，在多晶硅层外围形成第一氧化层；
其特征在于，还包括：
执行氧化后退火。
2.根据权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化后退火为快速热退火。
3.根据权利要求2所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述退火的温度范围为950至1050摄氏度，退火时间为30秒至10分钟。
4.根据权利要求3所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述退火的温度范围为1000至1050摄氏度，时间为30秒至1分钟。
5.根据权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化后退火为在管式炉中进行。
6.根据权利要求5所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述退火的温度范围为800至900摄氏度，退火时间为10至45分钟。
7.根据权利要求6所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述退火的温度范围为800至850摄氏度，退火时间为20至30分钟。
8.根据权利要求3至7中任一项所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述退火时通入的气体为惰性气体或者氮气。
9.根据权利要求8所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述气体为惰性气体，通入所述惰性气体流量为0.3至9升每分钟。
10.根据权利要求8所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述气体为氮气，通入所述氮气的流量范围为0.3至9升每分钟。
11.根据权利要求10所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述气体为氮气，通入所述氮气的流量范围为0.3至5升每分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
