[发明专利]复合式过压保护器及其在半导体变流设备中的应用有效

专利信息
申请号: 200910054296.4 申请日: 2009-07-02
公开(公告)号: CN101593974A 公开(公告)日: 2009-12-02
发明(设计)人: 孙丹峰;朱世良;张宁;王燚 申请(专利权)人: 苏州市电通电力电子有限公司;保定莱特整流器制造有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;H02H7/10
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 代理人: 孙仿卫
地址: 215011江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 复合 保护 及其 半导体 设备 中的 应用
【权利要求书】:

1.一种复合式过压保护器,其特征在于:它包括ZnO-Bi2O3-TiO2系高能 型氧化锌压敏电阻片(VE)和ZnO-Bi2O3-Sb2O3系高压型氧化锌压敏电阻片 (VH),所述的高能型氧化锌压敏电阻片(VE)的一端与高压型氧化锌压敏电 阻片(VH)的一端相连接并自此共同连接端引出一个有用于与半导体变流设备 交流输入侧相电连接的连接端子,自所述的高能型氧化锌压敏电阻片(VE)的 另一端引出有用于与半导体变流设备交流输入侧相电连接的另一个连接端子, 自所述的高压型氧化锌压敏电阻片(VH)的另一端引出一个有用于与大地相电 连接的连接端子。

2.根据权利要求1所述的复合式过压保护器,其特征在于:所述的高能型 氧化锌压敏电阻片(VE)由一只ZnO-Bi2O3-TiO2系压敏电阻或通过串联或并 联而成的一组ZnO-Bi2O3-TiO2系压敏电阻构成;所述的高压型氧化锌压敏电阻 片(VH)由一只ZnO-Bi2O3-Sb2O3系压敏电阻或通过串联或并联而成的一组ZnO -Bi2O3-Sb2O3系压敏电阻构成。

3.一种复合式过压保护器,其特征在于:它包括一ZnO-Bi2O3-TiO2系高 能型氧化锌压敏电阻片(VE)和两相串联的ZnO-Bi2O3-Sb2O3系高压型氧 化锌压敏电阻片(VH),所述的两相串联的高压型氧化锌压敏电阻片(VH)的 两端分别与所述的高能型氧化锌压敏电阻片(VE)的两端相电连接,且自两种 压敏电阻片的公共连接点引出有用于与半导体变流设备直流侧相电连接的连接 端子,自两相串联的高压型氧化锌压敏电阻片(VH)的公共连接点引出有用于 与大地相电连接的连接端子。

4.根据权利要求3所述的复合式过压保护器,其特征在于:所述的高能型 氧化锌压敏电阻片(VE)由一只或通过串联或并联而成的一组ZnO-Bi2O3-TiO2系压敏电阻组成;所述的两高压型氧化锌压敏电阻片(VH)由两只或通过串联 或并联而成的两组ZnO-Bi2O3-Sb2O3系压敏电阻组成。

5.根据权利要求1或2所述的复合式过压保护器在半导体变流设备中的应 用方法,其特征在于:其采用三组所述的复合式过压保护器,其中,所述的三 只高能型氧化锌压敏电阻片(VE)以“△”接线的方式与半导体变流设备交流 进线侧的三根相线相连接,用于抑制操作过电压;所述的三只高压型氧化锌压 敏电阻片(VH)以“Y”接线的方式与半导体变流设备交流进线侧的三根相线 相连接,“Y”接线的中心点与大地相连接,用于抑制变流进线侧的相线与大地 之间的雷击过电压。

6.根据权利要求3或4所述的复合式过压保护器在半导体变流设备中的应 用方法,其特征在于:采用一组所述的过压保护器,其中,所述的高能型氧化 锌压敏电阻片(VE)的两端分别与变流设备直流侧或变流输出侧的两端相连接, 用于抑制操作过电压;所述的两高压型氧化锌压敏电阻片(VH)与所述的高能 型氧化锌压敏电阻片(VE)相连接的一端也分别与变流设备直流侧或变流输出 侧的两端相连接,两高压型氧化锌压敏电阻片(VH)的公共连接端与大地相连 接,用于抑制雷击过电压。

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