[发明专利]SiSb基相变材料用化学机械抛光液无效

专利信息
申请号: 200910054391.4 申请日: 2009-07-03
公开(公告)号: CN101586005A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 王良咏;宋志棠;刘波;封松林 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: C09G1/02 分类号: C09G1/02;H01L45/00
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 代理人: 黄志达;宋 缨
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: sisb 相变 材料 化学 机械抛光
【权利要求书】:

1.一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液,包括如下组分:

含氧化物抛光颗粒             0.2-30wt%

氧化剂                       0.01-5wt%

表面活性剂                   0.01-4wt%

有机添加剂                   0.01-3wt%

pH调节剂和水性介质           其余wt%;

所述的含氧化物抛光颗粒为氧化铝、氧化铈、氧化锆、氧化钛或胶体氧化硅,粒径范围10-1500nm;

所述的氧化剂为铁氰化钾、双氧水或过硫酸铵;

所述的表面活性剂为聚氧乙烯硫酸钠AES、聚丙烯酸钠、聚氧乙烯醚磷酸酯、烷基醇聚氧乙烯基醚或十六烷基三甲基溴化铵;

所述的有机添加剂为乙酸、蚁酸、草酸、柠檬酸、对苯二酸、水杨酸、脯氨酸、氨基乙酸、丁二酸或酒石酸;

所述的pH调节剂为硝酸、磷酸、氢氧化钾、羟乙基乙二氨或四甲基氢氨,pH值的范围1-11;

所述的水性介质为去离子水。

2.根据权利要求1所述的所述的一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液,其特征在于:所述的SiSb基相变材料用化学机械抛光液,包括如下组分:

含氧化物抛光颗粒           0.2-6wt%

氧化剂                     1-4wt%

表面活性剂                 0.05-2wt%

有机添加剂                 0.05-1wt%

pH调节剂和水性介质         其余wt%;

所述的含氧化物抛光颗粒的粒径范围为30-200nm。

3.根据权利要求1所述的所述的一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液,其特征在于:所述的SiSb基相变材料用化学机械抛光液,包括如下组分:30wt%氧化铈颗粒、0.01wt%双氧水、4wt%聚丙烯酸钠、0.3wt%脯氨酸、硝酸调节pH值为3,其余为去离子水;所述的氧化铈颗粒的粒径为10nm。

4.根据权利要求1所述的所述的一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液,其特征在于:所述的SiSb基相变材料用化学机械抛光液,包括如下组分:2wt%氧化钛颗粒、1.5wt%铁氰化钾、0.5wt%聚氧乙烯硫酸钠、0.2wt%柠檬酸、磷酸调节pH值为5,其余为去离子水;所述的氧化铈颗粒的粒径为150nm。

5.根据权利要求1所述的所述的一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液,其特征在于:所述的SiSb基相变材料用化学机械抛光液,包括如下组分:4wt%氧化铝颗粒、3wt%过硫酸铵、0.5wt%聚氧乙烯硫酸钠、1wt%水杨酸、氢氧化钾调节pH值为11,其余为去离子水;所述的氧化铝颗粒的粒径为80nm。

6.根据权利要求1所述的所述的一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液,其特征在于:所述的SiSb基相变材料用化学机械抛光液,包括如下组分:3wt%氧化锆颗粒、2wt%双氧水、0.3wt%聚氧乙烯醚磷酸酯、0.1wt%氨基乙酸、磷酸调节pH值为1,其余为去离子水;所述的氧化锆颗粒的粒径为100nm。

7.根据权利要求1所述的所述的一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液,其特征在于:所述的SiSb基相变材料用化学机械抛光液,包括如下组分:1wt%氧化硅颗粒、1wt%过铁氰化钾、0.3wt%聚氧乙烯醚磷酸酯、0.3wt%草酸、硝酸调节pH值为3,其余为去离子水;所述的氧化硅颗粒的粒径为200nm。

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