[发明专利]SiSb基相变材料用化学机械抛光液无效
申请号: | 200910054391.4 | 申请日: | 2009-07-03 |
公开(公告)号: | CN101586005A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 王良咏;宋志棠;刘波;封松林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;H01L45/00 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人: | 黄志达;宋 缨 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | sisb 相变 材料 化学 机械抛光 | ||
1.一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液,包括如下组分:
含氧化物抛光颗粒 0.2-30wt%
氧化剂 0.01-5wt%
表面活性剂 0.01-4wt%
有机添加剂 0.01-3wt%
pH调节剂和水性介质 其余wt%;
所述的含氧化物抛光颗粒为氧化铝、氧化铈、氧化锆、氧化钛或胶体氧化硅,粒径范围10-1500nm;
所述的氧化剂为铁氰化钾、双氧水或过硫酸铵;
所述的表面活性剂为聚氧乙烯硫酸钠AES、聚丙烯酸钠、聚氧乙烯醚磷酸酯、烷基醇聚氧乙烯基醚或十六烷基三甲基溴化铵;
所述的有机添加剂为乙酸、蚁酸、草酸、柠檬酸、对苯二酸、水杨酸、脯氨酸、氨基乙酸、丁二酸或酒石酸;
所述的pH调节剂为硝酸、磷酸、氢氧化钾、羟乙基乙二氨或四甲基氢氨,pH值的范围1-11;
所述的水性介质为去离子水。
2.根据权利要求1所述的所述的一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液,其特征在于:所述的SiSb基相变材料用化学机械抛光液,包括如下组分:
含氧化物抛光颗粒 0.2-6wt%
氧化剂 1-4wt%
表面活性剂 0.05-2wt%
有机添加剂 0.05-1wt%
pH调节剂和水性介质 其余wt%;
所述的含氧化物抛光颗粒的粒径范围为30-200nm。
3.根据权利要求1所述的所述的一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液,其特征在于:所述的SiSb基相变材料用化学机械抛光液,包括如下组分:30wt%氧化铈颗粒、0.01wt%双氧水、4wt%聚丙烯酸钠、0.3wt%脯氨酸、硝酸调节pH值为3,其余为去离子水;所述的氧化铈颗粒的粒径为10nm。
4.根据权利要求1所述的所述的一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液,其特征在于:所述的SiSb基相变材料用化学机械抛光液,包括如下组分:2wt%氧化钛颗粒、1.5wt%铁氰化钾、0.5wt%聚氧乙烯硫酸钠、0.2wt%柠檬酸、磷酸调节pH值为5,其余为去离子水;所述的氧化铈颗粒的粒径为150nm。
5.根据权利要求1所述的所述的一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液,其特征在于:所述的SiSb基相变材料用化学机械抛光液,包括如下组分:4wt%氧化铝颗粒、3wt%过硫酸铵、0.5wt%聚氧乙烯硫酸钠、1wt%水杨酸、氢氧化钾调节pH值为11,其余为去离子水;所述的氧化铝颗粒的粒径为80nm。
6.根据权利要求1所述的所述的一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液,其特征在于:所述的SiSb基相变材料用化学机械抛光液,包括如下组分:3wt%氧化锆颗粒、2wt%双氧水、0.3wt%聚氧乙烯醚磷酸酯、0.1wt%氨基乙酸、磷酸调节pH值为1,其余为去离子水;所述的氧化锆颗粒的粒径为100nm。
7.根据权利要求1所述的所述的一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液,其特征在于:所述的SiSb基相变材料用化学机械抛光液,包括如下组分:1wt%氧化硅颗粒、1wt%过铁氰化钾、0.3wt%聚氧乙烯醚磷酸酯、0.3wt%草酸、硝酸调节pH值为3,其余为去离子水;所述的氧化硅颗粒的粒径为200nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910054391.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。