[发明专利]接触孔填充方法有效
| 申请号： | 200910054397.1 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101937864A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相;何伟业;刘盛;孔祥涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 填充 方法 | ||
1.一种接触孔填充方法，包括：
提供一个表面具有至少一个接触孔开口的衬底；
在接触孔的侧壁和衬底表面形成阻挡层；
其特征在于，还包括：
在阻挡层表面形成第一金属层，所述第一金属层的金属晶粒尺寸小于0.2微米；
在第一金属层表面形成第二金属层，直至填充所述接触孔。
2.如权利要求1所述的接触孔填充方法，其特征在于，所述第一金属层材料为铝，厚度为500纳米至2000纳米。
3.如权利要求1所述的接触孔填充方法，其特征在于，所述第一金属层的形成工艺为物理气相沉积工艺。
4.如权利要求1所述的接触孔填充方法，其特征在于，所述形成第一金属层的具体工艺为：反应温度为20摄氏度至150摄氏度，腔室压力为10毫托至18毫托，直流功率为10000瓦至40000瓦，氩气流量为每分钟2标准立方厘米至每分钟20标准立方厘米。
5.如权利要求1所述的接触孔填充方法，其特征在于，所述形成第一金属层的具体工艺为：反应温度为70摄氏度，腔室压力为10毫托至18毫托，直流功率为10000瓦至40000瓦，氩气流量为每分钟2标准立方厘米至每分钟20标准立方厘米。
6.如权利要求1所述的接触孔填充方法，其特征在于，所述第二金属层材料为铝，形成工艺为物理气相沉积工艺。
7.如权利要求1所述的接触孔填充方法，其特征在于，所述第二金属层的晶粒尺寸大于第一金属层。
8.如权利要求1所述的接触孔填充方法，其特征在于，所述形成第二金属层的具体工艺为：反应温度为250摄氏度至500摄氏度，腔室压力为10毫托至18毫托，直流功率为10000瓦至40000瓦，氩气流量为每分钟2标准立方厘米至每分钟20标准立方厘米。
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