[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200910054406.7 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101937847A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 黄子伦;王晓艳;詹文荣;王金恩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体基底，所述半导体基底上具有介质层；
刻蚀介质层以及介质层下层的半导体基底，在所述介质层和所述半导体基底中形成沟槽；
对沟槽侧壁的介质层进行回刻，使沟槽在介质层内的开口增大，沟槽内暴露半导体基底的部分上表面；
向所述沟槽内填充绝缘介质；
刻蚀所述绝缘介质，直到沟槽位置的绝缘介质的上表面高于半导体基底上表面预定厚度；
以所述介质层为掩模，向所述半导体基底离子注入形成阱区的离子；
去除所述介质层；
对所述半导体基底进行离子注入，形成阱区；
在所述阱区中形成金属氧化物晶体管。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述绝缘介质的材料为二氧化硅。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述预定厚度为0至
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，以所述介质层为掩模，向所述半导体基底离子注入形成阱区的离子的步骤为：
离子注入P型离子，能量为2Kev至30Kev，剂量为5E12atom/cm2至3E13atom/cm2；
对所述半导体基底进行离子注入，形成阱区的步骤为：
离子注入P型离子，能量为2Kev至50Kev，剂量为1E12atom/cm2至1E14atom/cm2，且
所述金属氧化物晶体管为NMOS晶体管。
5.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
以所述介质层为掩模，向所述半导体基底离子注入形成阱区的离子的步骤为：
离子注入N型离子，能量为10Kev至100Kev，剂量为1E12atom/cm2至1E13atom/cm2；
对所述半导体基底进行离子注入，形成阱区的步骤为：
离子注入N型离子，能量为10Kev至150Kev，剂量为5E11atom/cm2至1E14atom/cm2，且所述金属氧化物晶体管为PMOS晶体管。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述对沟槽侧壁的介质层进行回刻之后，向所述沟槽内填充绝缘介质之前还包括：在半导体基底内的沟槽侧壁利用热氧化的方法生长衬垫氧化硅层。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述介质层的材料为氮化硅。
8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述介质层和所述半导体基底之间还包括氧化硅层。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物晶体管的有源区的特征尺寸小于或等于0.13μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
