[发明专利]提高非易失性存储器性能的方法

权利要求书

1.一种提高非易失性存储器性能的方法，在非易失性存储器中制造氧氮氧结构时，包括：

在晶圆衬底上沉积得到二氧化硅表面层；

在所述二氧化硅表面层上沉积形成氮化硅层；

用原位蒸汽产生法产生正价氧离子，与所述氮化硅层反应形成氮氧化硅后，沉积得到高温氧化物层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用原位蒸汽产生法产生正价氧离子的过程为：

将氢气和氧气通入温度为900摄氏度～1100摄氏度、压力为13.33～39.99帕斯卡的反应腔中，其中氢气占总通入气体的比例为小于等于35％。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅表面层采用原位蒸汽产生法产生正价氧离子后氧化晶圆衬底得到。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成氮化硅层之后，用原位蒸汽产生法产生正价氧离子之前，还包括：

采用等离子增强型化学气相沉积或化学气相沉积的方法在所述形成氮化硅层上沉积氮化硅。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述形成氮化硅层上沉积氮化硅的过程为：

采用主要成份为SiH₂Cl₂和NH₃的反应气体通入反应腔进行反应，两者的比率为3∶1～5∶1，得到硅原子和正价氮离子后，反应沉积得到氮化硅。

6.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述沉积得到氮化硅厚度大于等于100埃。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非易失性存储器为嵌入式非易失性存储器时，所述方法还包括：

在所述高温氧化物层上形成多晶硅栅极后，采用硅对准硅化物方法形成多晶硅栅极侧壁阻挡层。

8.一种提高非易失性存储器性能的方法，在非易失性存储器中制造氧氮氧结构时，包括：

在晶圆衬底上沉积得到二氧化硅表面层；

在所述二氧化硅表面层上沉积形成氮化硅层；

采用等离子增强型化学气相沉积或化学气相沉积的方法在所述形成氮化硅层上沉积氮化硅；

氧化氮化硅形成氮氧化硅，在氮氧化硅上淀积一层高温氧化物层，共同构成顶层氧化层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述形成氮化硅层上沉积氮化硅的过程为：

采用主要成份为SiH₂Cl₂和NH₃的反应气体通入反应腔进行反应，两者的比率为3∶1～5∶1，得到硅原子和正价氮离子后，反应沉积得到氮化硅。

10.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述沉积得到氮化硅厚度大于等于100埃。