[发明专利]存储单元区制作的方法有效
| 申请号： | 200910054546.4 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101944511A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 刘艳;李勇;周儒领;黄淇生;詹奕鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 单元 制作 方法 | ||
1.一种存储单元区制作的方法，包括：
在半导体衬底上依次形成浮栅FG氧化层、FG多晶硅层、氧化层-氮化层-氧化层ONO介质层、控制栅CG多晶硅层、CG氮化硅层、CG氧化硅层、CG氮化硅硬掩膜层；
在所述CG氮化硅硬掩膜层上涂布光阻胶，并图案化该光阻胶，以该图案化的光阻胶为掩膜，依次刻蚀所述CG氮化硅硬掩膜层、CG氧化硅层、CG氮化硅层、CG多晶硅层和ONO介质层，形成CG；
氮化所述FG多晶硅层后，在所形成的CG的两侧制成CG侧壁层；
以CG侧壁层和CG为掩膜，刻蚀氮化的所述FG多晶硅层和FG氧化层，形成FG；
在CG侧壁层和FG的外侧依次形成氧化层、沉积多晶硅膜，所述多晶硅膜最终将形成擦除栅EG。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化所述FG多晶硅层为：在FG多晶硅层上形成一层氮氧化硅。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在FG多晶硅层上形成一层氮氧化硅为：
采用氨气NH3、氮氧原子团或者含氮的气体通入加热的反应腔，氮化FG多晶硅层，在FG多晶硅层上部形成一层氮氧化硅。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在FG多晶硅层上形成一层氮氧化硅为：
采用离子注入IMP将氮离子注入到FG多晶硅层中，在FG多晶硅层的上部形成一层氮氧化硅。
5.如权利要求1～4所述任一种的方法，其特征在于，在所述形成FG之后，在CG侧壁层和FG的外侧依次形成氧化层之前，还包括：
氧化所形成的FG。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述氧化为干氧化、或快速热氧化。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
