[发明专利]Butler矩阵波束形成装置无效

专利信息
申请号: 200910054599.6 申请日: 2009-07-09
公开(公告)号: CN101599784A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: 马德晶;彭宏利;尹文言 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H04B7/02 分类号: H04B7/02;H04B1/38
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: butler 矩阵 波束 形成 装置
【权利要求书】:

1.一种Butler矩阵波束形成装置,其特征在于,包括:两个输入混合器、两个输出混合器、两个移相器和一个交叉耦合器,其中:输入混合器的输出端分别与移相器和交叉耦合器的输入端相连接,输出混合器的输入端分别与移相器和交叉耦合器的输出端相连接; 

所述的输入混合器和输出混合器均为宽频带90°混合器,其中连接混合器输入端口和输出端口的平行微带线的线宽为2.618mm,线长为70.768mm; 

所述的移相器为45°移相器; 

所述的交叉耦合器为左右对称且上下对称结构,该交叉耦合器中连接其输入端口和输出端口的第一耦合器微带线的线宽均为4.085mm,所述的交叉耦合器中分别垂直设有5条第二耦合器微带线,该第二耦合器微带线的线宽不等,线长26.963mm,其间距依次为25.109mm、24.664mm、24.664mm和25.109mm; 

所述的交叉耦合器的输出端的引出端的线长均为2.134mm,线宽均为2.618mm,输入端的引出端之间的距离为28.336mm。 

2.根据权利要求1所述的Butler矩阵波束形成装置,其特征是,所述波束形成装置为平面微带结构,微带衬底采用FR4介质,其介电常数εr=2.55,损耗正切tanδ=0.001,衬底厚度hs=0.78mm,微带传输线的厚度hm=0.035mm。 

3.根据权利要求1所述的Butler矩阵波束形成装置,其特征是,所述的平行微带线之间设有垂直微带线,该垂直微带线的线长为28.314mm。 

4.根据权利要求3所述的Butler矩阵波束形成装置,其特征是,所述的平行微带线之间设有两条折线微带线,该折线微带线的线宽为0.45mm,夹角为154°,该折线微带线的夹角定点距离垂直微带线为23.046mm,距离平行微带线14.184mm。 

5.根据权利要求1所述的Butler矩阵波束形成装置,其特征是,所述的移相器为蛇形微带线结构,其线宽为2.618mm。 

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