[发明专利]腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法

权利要求书

1.一种腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供带有绝缘埋层的衬底，所述带有绝缘埋层的衬底包括支撑层、绝缘埋层和顶层半导体层；

在衬底的正面和背面均形成覆盖层，所述正面是顶层半导体层一侧的表面，背面是与正面相对的另一面；

将衬底正面的覆盖层研磨除去；

将衬底的正面向下放置于旋转腐蚀载片平台上，将顶层半导体层的腐蚀液通至衬底背面的覆盖层并同时旋转衬底，使腐蚀液流通过衬底的边沿流淌到正面，腐蚀正面顶层半导体层的边缘部分，旋转腐蚀的旋转速率范围是每分钟50至1000圈；

将衬底的正面向上放置于旋转腐蚀载片平台上，将绝缘埋层腐蚀液通至衬底正面并同时旋转衬底，腐蚀除去衬底边缘由于顶层半导体层被腐蚀除去而露出的绝缘埋层，旋转腐蚀的旋转速率大于每分钟1200圈。

2.根据权利要求1所述的腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法，其特征在于，所述顶层半导体层的材料为硅，腐蚀顶层半导体层的腐蚀液为四甲基氢氧化铵。

3.根据权利要求2所述的腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法，其特征在于，腐蚀顶层半导体层的步骤中，四甲基氢氧化铵的浓度范围是5％至50％，流量范围是每分钟0.5至2.0升。

4.根据权利要求1所述的腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法，其特征在于，所述绝缘埋层的材料为氧化硅，腐蚀液绝缘埋层的腐蚀液为氢氟酸。

5.根据权利要求4所述的腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法，其特征在于，腐蚀绝缘埋层的步骤中，氢氟酸的浓度范围是5％至49％，流量范围是每分钟0.5至2.5升。