[发明专利]白光LED用石榴石类单晶荧光材料及其制备方法

权利要求书

1.一种制品，包含：具有单晶结构的单晶荧光材料制品和含有A型晶格位置和B型晶格位置的具有单晶结构的氧化物。该氧化物有A₃B₅O₁₂的结构形式，其中A表示占据A型晶格位置的材料，B表示占据B型晶格位置的材料。其中，A包含包括钇(Y)以及稀土(RE)在内的许多元素，B包含包括铝(Al)、镓(Ga)在内的许多元素。

2.权利要求1的制品，其中A型晶格位置的元素钇(Y)、铽(Tb)、钆(Gd)、镱(Yb)、镥(Lu)、镧(La)以及由他们的组合形成的一个或者多个元素。

3.在A型晶格位置除权利要求2的元素之外还包括稀土元素(RE)。其中稀土元素包括Ce³⁺、Pr³⁺、Sm³⁺、Dy³⁺、Er³⁺、Nd³⁺、Eu²⁺和Eu³⁺中的一个或者多个。RE钇以至少0.001摩尔分数的量存在。

4.权利要求1的制品，在B型晶格位置的元素包括铝(Al)、硼(B)、镓(Ga)中的一个或者多个。

5.权利要求1的制品，在A型晶格位置包括不同于钇的价态离子将导致电荷不平衡时，通过在B型晶格位置的代替离子可以抵消。包括离子的一般实例组合物可被表示成(Y，RE)_3(1-m)(AE)_3mC_5m(Al，Ga)_5(1-m)O₁₂。其中C是四价离子。这里，Y，RE代表在A型晶格位置的Y，RE中的一个或者多个。碱土元素(AE)代替在A型晶格位置，而C即四价离子代替在B型晶格位置，以平衡电荷。其中Y，RE可以在0.5～0.995摩尔分数的浓度范围，AE的浓度可从0.005到0.5摩尔分数变化。

6.权利要求1的制品，制备方法为熔体单晶生长方法，其中包括如下方法：提拉法、下降法、坩埚移动法、区熔法、梯度法、热交换法。