[发明专利]像素结构及其修补方法

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

一基底；

一第一金属层设于该基底上，该第一金属层包括至少一栅极线；

一第一介电层，设于该基底上且覆盖该第一金属层；

一半导体层，设于该第一介电层上，该半导体层包括至少一信道，且该信道位于该栅极线上方；

一第二金属层，设于该第一介电层及该半导体层上，该第二金属层包括至少一数据线、至少一源极以及至少一漏极；

一第二介电层，设于该第二金属层、该半导体层以及该第一介电层上；以及

一透明电极层，设于该第二介电层上，该透明电极层包括一透明像素电极，以及一透明修补电极，其中该透明像素电极与该漏极电连接，该透明修补电极也与该漏极电连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该漏极具有一梯级结构位于该信道的一侧，其中该漏极包括一上漏极与该通道的一侧邻接，以及一下漏极与该上漏极电连接。

3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，其中该透明修补电极与该上漏极通过至少一接触洞电连接。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该透明像素电极与该透明修补电极为同一层导电材料但并未直接连接，且该透明像素电极与该透明修补电极透过该漏极电连接。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该透明修补电极的投影面积与该漏极在垂直方向上有部分重叠。

6.一种像素结构的修补方法，其特征在于，包括：

提供一像素结构，该像素结构包括一基底、至少一栅极线、至少一栅极线、一透明像素电极、一薄膜晶体管以及一透明修补电极，其中该薄膜晶体管包括一栅极、一漏极以及一源极，该漏极包括一上漏极与一下漏极，该透明修补电极与该上漏极电性连接，且该透明像素电极与该下漏极电连接；

对该像素结构进行一电路检测，检测该漏极是否发生断裂情形造成该上漏极与该下漏极两者未电连接；以及

若该漏极发生断裂情形，则进行一熔接制程，熔接该透明修补电极与该下漏极。

7.如权利要求6所述的修补方法，其特征在于，其中该熔接制程在该透明修补电极与该下漏极间形成一接触洞，以电连接该透明修补电极与该下漏极。

8.如权利要求6所述的修补方法，其特征在于，其中该像素结构的该透明像素电极与该透明修补电极是同一层导电材料，且该透明像素电极与该透明修补电极在同一水平面的结构上未直接连接。

9.如权利要求6所述的修补方法，其特征在于，其中透明修补电极的投影面积与该上漏极及该下漏极在垂直方向上有部分重叠。

10.如权利要求6所述的修补方法，其特征在于，其中该薄膜晶体管包括一通道，且该上漏极与该通道的一侧邻接。