[发明专利]改善半导体元器件性能的方法

权利要求书

1.一种改善半导体元器件性能的方法，该方法包括：

预先指定半导体元器件制造工艺中的至少一个工艺过程；

对所述预先指定的工艺过程进行降低热预算的操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预先指定的工艺过程包括：

原位蒸汽发生工艺过程、快速热氧化工艺过程、牺牲氧化层沉积工艺过程中的任意一个或多个工艺过程。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述预先指定的工艺过程包括原位蒸汽发生工艺过程时，所述对所述预先指定的工艺过程进行降低热预算的操作包括：

减小所述原位蒸汽发生工艺过程中衬氧化层的厚度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：

所述减小后的衬氧化层的厚度为50～105埃。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述预先指定的工艺过程包括快速热氧化工艺过程时，所述对所述预先指定的工艺过程进行降低热预算的操作包括：

降低所述快速热氧化工艺过程中的温度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：

所述降低后的快速热氧化工艺过程中的温度为550～1050摄氏度。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述预先指定的工艺过程包括牺牲氧化层沉积工艺过程时，所述对所述预先指定的工艺过程进行降低热预算的操作包括：

不进行所述牺牲氧化层沉积工艺过程。