[发明专利]具有凸半球结构的硅平台制备方法

权利要求书

1、一种具有凸半球结构的硅平台制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步、在硅基片上旋涂一层正光刻胶，将掩模板置于硅基片正上方，利用X射线透过掩模板对硅基片上的光刻胶层进行动态曝光；

第二步、按照与第一步中动态曝光相垂直的方向，对硅基片进行第二次动态曝光，然后对硅基片上的光刻胶进行显影，制成带有凸半球状光刻胶硅基片；

第三步、利用湿法腐蚀对硅基片进行刻蚀，当半球形光刻胶被腐蚀完毕后，硅基片表面就形成了硅凸半球形状。

2、根据权利要求1所述的具有凸半球结构的硅平台制备方法，其特征是，第一步中所述的正光刻胶为聚甲基丙烯酸甲酯，该正光刻胶的厚度为20μm。

3、根据权利要求1所述的具有凸半球结构的硅平台制备方法，其特征是，第一步中所述的掩模板的边沿设有一排半圆型结构，该半圆形结构的半径为20μm。

4、根据权利要求1所述的具有凸半球结构的硅平台制备方法，其特征是，所述的X射线的靶材是石墨，工作电压为5KV。

5、根据权利要求1所述的具有凸半球结构的硅平台制备方法，其特征是，所述的动态曝光是指：将X射线光源和掩模板从硅基片的一端以0.2mm/h的速度同步移动至硅基片的另一端。

6、根据权利要求1所述的具有凸半球结构的硅平台制备方法，其特征是，所述的显影过程是指：在20℃恒温条件下，将曝光后的硅基片放入体积比为1∶1甲基异丁基酮和异丙醇的显影液中，显影时间为400s。

7、根据权利要求1所述的具有凸半球结构的硅平台制备方法，其特征是，所述的腐蚀液是质量百分比浓度为10％的氢氧化钾水溶液。