[发明专利]金属-绝缘体-金属电容器的制造方法无效
| 申请号： | 200910054930.4 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101958235A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 郭丰;邬瑞彬;郭启森;王光超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;成都成芯半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 电容器 制造 方法 | ||
1.一种金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，包括下列步骤：
在第一金属层上化学气相沉积介电层；
在所述介电层上物理气相沉积第二金属层；
蚀刻去除电容区以外的第二金属层和部分介电层，
其特征在于，所述化学气相沉积使用SiH4，NH3和N2的混合气体，其中NH3和SiH4的流量比例为12∶1～12.4∶1，N2和NH3的流量比例为0.4～0.6∶1。
2.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，其特征在于，所述SiH4的流量为200～300标况毫升每分。
3.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，其特征在于，所述化学气相沉积处理的温度为350～400摄氏度。
4.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，其特征在于，所述介电层为SiN层。
5.根据权利要求4所述的金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，其特征在于，所述SiN层的厚度为625埃。
6.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，其特征在于，蚀刻去除电容区以外的部分介电层的厚度为100～400埃。
7.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，其特征在于，该方法包括在第一金属层和介电层之间化学气相沉积第一阻碍金属层，在介电层和第二金属层之间化学气相沉积第二阻碍金属层。
8.根据权利要求7所述的金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，其特征在于，所述第一阻碍金属层和第二阻碍金属层为Ti或TiN层。
9.根据权利要求7所述的金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，其特征在于，所述第一阻碍金属层的厚度为50～500埃，所述第二阻碍金属层的厚度为200～250埃。
10.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，其特征在于，该方法包括在第二金属层上化学气相沉积第三阻碍金属层。
11.根据权利要求10所述的金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，其特征在于，所述第三阻碍金属层为Ti或TiN层。
12.根据权利要求10所述的金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，其特征在于，所述第三阻碍金属层的厚度为50～500埃。
13.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，其特征在于，所述第一金属层为铜金属层，所述第二金属层为铝金属层。
14.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为4000～6000埃，所述第二金属层的厚度为1000～1600埃。
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