[发明专利]掺碳钇铝石榴石晶体及其两步法制备有效
| 申请号： | 200910054969.6 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101603205A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 李红军;杨新波;徐军;苏良碧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B11/00;C30B31/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺碳钇铝 石榴石 晶体 及其 步法 制备 | ||
【权利要求书】：
1.一种掺碳钇铝石榴石晶体的制备方法，在所述钇铝石榴石晶体中掺入碳元素，所述掺碳 钇铝石榴石晶体的制备方法包括如下步骤：将YAG晶体加工成YAG晶片，然后在置于 晶体炉中的密封坩埚中采用碳蒸发源对YAG晶片进行扩散渗碳处理，处理温度为 2000～2200K；处理时间为1～120h；处理过程中，晶体炉的炉压＜5×10-3Pa，制得掺碳 钇铝石榴石晶体；所述YAG晶体由提拉法、下降法或温梯法生长制得；所述扩散渗碳 处理在还原气氛中进行。
2.如权利要求1中所述掺碳钇铝石榴石晶体的制备方法，其特征在于，所述YAG晶片为 长度为5～15mm、厚度为1～5mm的双面光学级抛光的YAG晶片。
3.如权利要求1-2任一权利要求所述制备方法制备的掺碳钇铝石榴石晶体，其特征在于， 所述的掺碳钇铝石榴石晶体中碳的掺杂量为晶体总质量的10～20000ppm。
4.如权利要求3所述的掺碳钇铝石榴石晶体，其特征在于，所述的掺碳钇铝石榴石晶体中 碳的掺杂量为晶体总质量的2000～8000ppm。
5.如权利要求3所述的掺碳钇铝石榴石晶体在热释光或光释光剂量学领域的应用。
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