[发明专利]一种在铝酸锂晶片上制备图形衬底的方法有效
| 申请号： | 200910055074.4 | 申请日： | 2009-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101958251A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 马可军;杨卫桥;李抒智;王康平;周颖圆;杨洁翔;王峰 | 申请（专利权）人： | 上海半导体照明工程技术研究中心 |
| 主分类号： | H01L21/428 | 分类号： | H01L21/428;H01L21/20;B23K26/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铝酸锂 晶片 制备 图形 衬底 方法 | ||
1.一种在铝酸锂晶片上制备图形衬底的方法，包括：
提供铝酸锂晶片；
用飞秒激光沿平行的方向多次扫描所述铝酸锂晶片的表面，形成多个平行的沟槽，得到铝酸锂晶片图形衬底。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述飞秒激光的聚焦功率为2J/cm2～10J/cm2。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的宽度为30nm～20μm、深度为30nm～20μm，相邻沟槽的间距为30nm～20μm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铝酸锂晶体表面的均方根粗糙度不大于5埃。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述铝酸锂晶片的晶面为(100)晶面。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述沟槽方向平行于所述铝酸锂晶面的[001]方向。
7.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述铝酸锂晶片的晶面为(302)晶面。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述沟槽方向平行于所述铝酸锂晶面的[203]方向。
9.一种在铝酸锂晶体衬底上制备GaN外延膜的方法，其特征在于，包括：
按照权利要求5或6所述的方法在铝酸锂晶片体上制备图形衬底；
在所述图形衬底上生长(10-10)面的GaN外延膜。
10.一种在铝酸锂晶片衬底上制备GaN外延膜的方法，其特征在于，包括：
按照权利要求7或8所述的方法在铝酸锂晶片上制备图形衬底；
在所述图形衬底上生长(11-20)面的GaN外延膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海半导体照明工程技术研究中心，未经上海半导体照明工程技术研究中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910055074.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
