[发明专利]形成焊接凸块的方法有效
申请号: | 200910055365.3 | 申请日: | 2009-07-24 |
公开(公告)号: | CN101964315A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 佟大明;梅娜 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 焊接 方法 | ||
1.一种形成焊接凸块的方法,包括下列步骤:
提供半导体基底;
在基底上形成铜材质的重布线焊垫;
对重布线焊垫进行表面处理,去除其表面的铜氧化物;
在基底和重布线焊垫上形成再钝化层,在需要形成焊接凸块的位置作开口,露出重布线焊垫;
用助焊剂清洗出露的重布线焊垫;
在开口内的重布线焊垫上形成焊接凸块。
2.根据权利要求1所述的形成焊接凸块的方法,其特征在于,所述对重布线焊垫进行表面处理,为用惰性气体对重布线焊垫进行表面刻蚀。
3.根据权利要求2所述的形成焊接凸块的方法,其特征在于,所述对重布线焊垫进行表面处理,为用氩气对重布线焊垫进行表面刻蚀。
4.根据权利要求3所述的形成焊接凸块的方法,其特征在于,所述对重布线焊垫进行表面处理,去除重布线焊垫表层至少50埃的厚度。
5.根据权利要求3所述的形成焊接凸块的方法,其特征在于,所述对重布线焊垫进行表面处理,在等离子刻蚀设备中进行,刻蚀设备顶部射频功率为100瓦~1000瓦,底部射频功率为100~1000瓦,氩气流量为每分钟1标准立方厘米~20标准立方厘米。
6.根据权利要求5所述的形成焊接凸块的方法,其特征在于,所述再钝化层在对重布线焊垫进行表面处理之后的两小时内涂布。
7.根据权利要求1所述的形成焊接凸块的方法,其特征在于,所述的基底上具有互连层,所述的互连层上具有钝化层,所述的重布线焊垫形成在钝化层上。
8.根据权利要求7所述的形成焊接凸块的方法,其特征在于,所述在钝化层上形成重布线焊垫的工艺是,在钝化层上形成光刻胶层,通过曝光显影在光刻胶层上需要做重布线焊垫的位置做第一开口,形成图案化的光刻胶层,露出光刻胶层下面的钝化层,在图案化的光刻胶层的第一开口内,即出露的钝化层上电镀铜材质的重布线焊垫。
9.根据权利要求7所述的形成焊接凸块的方法,其特征在于,所述在钝化层上形成重布线焊垫的工艺是,在钝化层上溅射铜材质的重布线焊垫层,在重布线焊垫层上形成光刻胶层,图案化光刻胶层,以图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀重布线焊垫层,除去光刻胶层,得到重布线焊垫。
10.根据权利要求1所述的形成焊接凸块的方法,其特征在于,所述在助焊剂上形成焊接凸块的工艺为,用植球的方法将焊料填充至开口内。
11.根据权利要求1所述的形成焊接凸块的方法,其特征在于,所述再钝化层的材料为光敏苯并环丁烯或者聚酰亚胺或者聚苯并唑。
12.根据权利要求1所述的形成焊接凸块的方法,其特征在于,所述焊料为锡银合金或锡铜合金。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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