[发明专利]一种基于纳米晶的非挥发性存储器

权利要求书

1.一种基于纳米晶的非挥发性存储器，其特征在于，包括衬底上定义的一个有源区，所述有源区上方横跨配置多条用于选择地址的字线、以及用于选中读取单元的选择栅，所述有源区上还设置多条用于读取数据的位线，所述位线与所述字线垂直排列，每条字线和有源区之间配置独立的纳米晶。

2.根据权利要求1所述的基于纳米晶的非挥发性存储器，其特征在于，所述选择栅位于所述字线的一侧，所述位线位于所述字线的另一侧。

3.一种基于纳米晶的非挥发性存储器数据写入的方法，其特征在于，包括：

选中需要写入数据的单元；

在衬底和字线之间的高压作用下，通过隧穿效应电子从衬底中被拉入所述选中的数据单元中的纳米晶。

4.根据权利要求3所述的基于纳米晶的非挥发性存储器数据写入的方法，其特征在于，所述选中需要写入数据的单元具体方式为：

在衬底施加一个-4V至-10V中任一负电压；

在一位线上加载一个-4V至-10V中任一负电压，另一位线上加载一个0V至4V中任一正电压；

在一字线上加载一个+4V至+10V中任一正电压，在另一字线上加载一个-1V至-3V中任一负电压；

在两个选择栅上均加载-4V至-10V中任一负电压。

5.一种基于纳米晶的非挥发性存储器数据擦除的方法，其特征在于，包括：

选中需要擦除数据的单元；

在字线和衬底之间的高压作用下，使存储在纳米晶中的电子隧穿回到衬底中。

6.根据权利要求5所述的基于纳米晶的非挥发性存储器数据擦除的方法，其特征在于，所述选中需要擦除数据的单元具体方式为：

在衬底施加一个+4V至+10V中任一正电压；

在两位线上均加载一个+4V至+10V中任一正电压；

在一字线上加载一个-4V至-10V中任一负电压，在另一字线上加载一个+4V至+10V中任一正电压；

在两个选择栅上均加载+4V至+10V中任一正电压。

7一种基于纳米晶的非挥发性存储器数据读取的方法，其特征在于，包括：

选中需要读取数据的单元；

通过读取位线输出的感应电流，读取选中单元中的数据。

8.根据权利要求7所述的基于纳米晶的非挥发性存储器数据读取的方法，其特征在于，所述选中需要读取数据的单元具体方式为：

衬底接地；

在一位线上加载一个+1V至+3V中任一正电压，另一位线接地；

在一字线上加载一个+1V至+3V中任一正电压，另一字线接地；

在一选择栅加载一个+1V至+3V中任一正电压，另一选择栅接地。