[发明专利]闪存器件的多晶字线顶端区域的制作方法

权利要求书

1.一种闪存器件的多晶字线顶端区域的制作方法，适用于闪存器件的多晶字线及连接的双二极管结构的制作，包括：

在P型硅衬底上形成N阱、深层N阱和P阱；

在P型硅衬底上形成浅沟槽隔离STI；

在STI上形成多晶字线，其中奇数多晶字线顶端成圣诞树形状，通过上层的接触孔经金属层与双二极管结构连接；

在STI中通过离子注入，先后在P型源极区和N阱之间形成P型轻掺杂区、P型源极区和P型漏极区以及N型栅极区，构成双二极管结构；

对奇数多晶字线、P型源极区、N型栅极区和P型漏极区形成上层接触孔后，其中奇数多晶字线和P型源极区分别通过上层接触孔与同一金属层连接。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型轻掺杂区的掺杂物质为硼或氟化硼。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述P型轻掺杂区的离子注入采用的能量为15～25千电子伏特，剂量为1.5～2.5×103原子/每平方厘米，垂直无倾斜角度注入。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述P型轻掺杂区的离子注入是和闪存器件的外围CMOS电路采用轻掺杂漏LDD工艺的离子注入同时进行的。