[发明专利]连接孔的刻蚀方法无效
| 申请号： | 200910055488.7 | 申请日： | 2009-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101969040A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 连接 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种连接孔的刻蚀方法，该方法包括：
在绝缘层上涂布光阻胶层；
曝光显影图案化所述光阻胶层；
采用氮气N2和一氧化碳CO，或者N2和二氧化碳CO2去除光阻胶开口底部的光阻胶残渣；
对绝缘层进行刻蚀形成连接孔。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光阻胶残渣的去除进一步包括氧气O2。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述光阻胶残渣的去除在刻蚀反应腔内进行，所述刻蚀反应腔内的压力为5～20毫托。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述光阻胶残渣的去除在刻蚀反应腔内进行，所述刻蚀反应腔内使用的源功率与偏置功率的比值为2～5。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述光阻胶残渣的去除在刻蚀反应腔内进行，所述刻蚀反应腔内使用的偏置功率小于200瓦。
6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述光阻胶残渣的去除，在刻蚀反应腔内通入气体的总量小于500标准立方厘米/分钟sccm。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述光阻胶残渣的去除，在刻蚀反应腔内通入N2与CO或CO2的比值为1.5～2.5。
8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光阻胶残渣的去除，在刻蚀反应腔内通入O2的流量小于5sccm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910055488.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：泡胶工具
- 下一篇：在液体培养基中使用细胞裂解实时检测微生物的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
