[发明专利]改善碳纳米管薄膜场发射性能的方法无效
| 申请号： | 200910055600.7 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101615544A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 徐东;赵波;陈长鑫;张亚非 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 纳米 薄膜 发射 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种改善碳纳米管薄膜场发射性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，在平面基底上镀覆金属薄膜；
步骤二，在金属薄膜上沉积碳纳米管薄膜；
步骤三，超声纳米焊接金属薄膜与碳纳米管薄膜，得到场发射性能改善的碳纳米管薄膜。
2、根据权利要求1所述的改善碳纳米管薄膜场发射性能的方法，其特征是，步骤一中，所述平面基底的材料为玻璃，硅片，陶瓷和金属中的任意一种。
3、根据权利要求1所述的改善碳纳米管薄膜场发射性能的方法，其特征是，步骤一中，所述镀覆选自以下方法中的任意一种：电子束蒸发法，磁控溅射法，气相沉积法和化学镀法。
4、根据权利要求1所述的改善碳纳米管薄膜场发射性能的方法，其特征是，步骤一中，所述金属为W，Mo，Au，Ni，Ti，Cr，Pt和Pd中的任意一种。
5、根据权利要求1所述的改善碳纳米管薄膜场发射性能的方法，其特征是，步骤二中，所述沉积选用以下方法中的任意一种：电泳沉积法，介电泳沉积法，静电喷涂法，旋涂法，提拉法和LB法。
6、根据权利要求1所述的改善碳纳米管薄膜场发射性能的方法，其特征是，步骤三中，所述超声纳米焊接具体为：使用金属或陶瓷点阵焊头，焊头的面积为1～100mm2，焊点的尺寸为1～900μm2，超声焊接频率为60kHz，超声能量为0.1～5J，压力为0.2～0.4MPa，焊接时间为0.1～5秒。
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