[发明专利]采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法有效
| 申请号： | 200910055733.4 | 申请日： | 2009-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101615590A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 魏星;王湘;李显元;张苗;王曦;林成鲁 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/20;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所（普通合伙） | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 201821*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 选择 腐蚀 工艺 制备 绝缘体 材料 方法 | ||
1.一种采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供掺杂的单晶硅衬底；
在单晶硅衬底表面生长非掺杂的本征单晶硅层；
在本征单晶硅层表面生长器件层；
提供支撑衬底；
在支撑衬底和器件层的表面生长绝缘层，或者在支撑衬底或器件层的表面生长绝缘层；
将单晶硅衬底和支撑衬底键合，如果在支撑衬底表面生长绝缘层，则以绝缘层和器件层的暴露表面为键合面，如果在器件层表面生长的绝缘层，则以支撑衬底和绝缘层的暴露表面为键合面，如果是在器件层和支撑衬底两者的表面都生长绝缘层，则应当分别以两个绝缘层的暴露表面为键合面；
采用选择性腐蚀工艺除去掺杂的单晶硅衬底；
采用热氧化的方法除去本征单晶硅层。
2.根据权利要求1所述的采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法，其特征在于，所述本征单晶硅层的厚度范围是50nm至5μm。
3.根据权利要求1或2所述的采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法，其特征在于，单晶硅衬底100与本征单晶硅层110之间的电阻率之差应大于1000倍
4.根据权利要求3所述的采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法，其特征在于，所述掺杂的单晶硅衬底的电阻率小于0.02Ω·cm，本征单晶硅层的电阻率大于20Ω·cm。
5.根据权利要求1所述的采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法，其特征在于，所述去除单晶硅衬底的步骤进一步包括：
将键合后的多层结构的单晶硅衬底一侧向上放置于旋转腐蚀平台上；
使腐蚀液流过单晶硅衬底表面，并同时转动旋转腐蚀平台，将单晶硅衬底腐蚀除去。
6.根据权利要求5所述的采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法，其特征在于，所述腐蚀液为氢氟酸，腐蚀过程中外接直流电源，单晶硅衬底与电源正极电学连接，电解液与电源负极电学连接。
7.根据权利要求5所述的采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法，其特征在于，所述腐蚀液为氢氟酸、硝酸与醋酸的混合液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
