[发明专利]改善有源区边缘缺陷的方法有效
| 申请号： | 200910055776.2 | 申请日： | 2009-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101989546A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 黄玉玲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 有源 边缘 缺陷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善有源区边缘缺陷的方法，其特征在于，包括：
提供依次形成有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；
刻蚀腐蚀阻挡层和垫氧化层至露出半导体衬底，定义出有源区，所述有源区边缘的半导体衬底内包含有缺陷；
对腐蚀阻挡层进行酸蚀，露出有源区边缘半导体衬底内的缺陷；
氧化有源区之间的半导体衬底，形成隔离区。
2.根据权利要求1所述改善有源区边缘缺陷的方法，其特征在于，所述酸蚀工艺在酸槽中进行。
3.根据权利要求1所述改善有源区边缘缺陷的方法，其特征在于，所述隔离区为LOCOS隔离。
4.根据权利要求1所述改善有源区边缘缺陷的方法，其特征在于，所述氧化在炉管内进行。
5.根据权利要求1所述改善有源区边缘缺陷的方法，其特征在于，所述缺陷在刻蚀过程中形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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