[发明专利]一种TFT阵列结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示技术，特别涉及一种薄膜晶体管(TFT)阵列结构及其制造方法。

背景技术

随着对信息显示的关注和对便携式信息介质的需求的增加，对平板显示技术的研究正在蓬勃展开。其中，薄膜晶体管液晶显示(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)由于具有微功耗、低工作电压、无X射线辐射、高清晰度、小体积等优点，目前广泛应用于手机、掌上电脑(Personal DigitalAssistant，PDA)等便携式电子产品中。随着显示屏的尺寸、分辨率以及显示颜色种类的不断增加，实现低功耗和高亮度显示是目前TFT-LCD的主要发展方向，这就对TFT阵列的结构和制造工艺提出了更高的要求。

降低功耗，提高显示屏亮度，对显示像素来讲就是提高像素的开口率，优化像素存储电容Cs，减小像素占据的显示面积。因此，TFT阵列的设计需要兼顾提高开口率、优化存储电容和保证显示性能等多方面因素。为了提高开口率以满足高分辨率液晶屏对显示亮度的要求，人们提出了栅电极扫描线上存储电容(Cs-on-gate)方式。栅电极扫描线上存储电容是利用透明像素电极薄膜延伸至栅电极扫描线上方形成像素存储电容。图1为现有技术的采用此电容的TFT阵列结构的俯视图。图中，TFT阵列结构包括栅电极扫描线11和与之相交的数据线12，TFT 13形成于所述栅电极扫描线11与所述数据线12的交点处，透明像素电极薄膜14延伸至栅电极扫描线11上方，交叠的部分形成像素存储电容15。这种方式虽然能较好地改善开口率，但是由于增大了栅电极扫描线和数据线与存储电容间的交叠面积，一方面易于引起阵列中的点或线缺陷，另一方面增大了信号线上的寄生电容，加重了信号传输中的延迟现象。此外，存储电容的下电极(即栅电极扫描线)为遮光材料，因此无法兼顾开口率的提高和存储电容的优化这两个方面。

发明内容

为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种TFT阵列结构及其制造方法，可同时实现开口率的提高以及存储电容的优化。

本发明提供一种TFT阵列结构，包括：

基板；

栅电极扫描线和与所述栅电极扫描线一体的栅电极，形成于所述基板上；

栅电极绝缘层，形成于所述栅电极扫描线和栅电极上；

半导体有源层，形成于所述栅电极绝缘层上；

数据线、漏电极、与所述数据线一体的源电极，形成于所述栅电极绝缘层上，其中，漏电极和源电极部分搭接到所述半导体有源层上；

公共电极，形成于所述栅电极绝缘层上；

钝化层，形成于所述数据线、漏电极、源电极和公共电极上，并在所述漏电极上形成钝化层过孔；

像素电极，形成于钝化层上，并通过所述漏电极上的钝化层过孔与所述漏电极相连；

其中，所述公共电极至少部分采用透明材料。

进一步的，所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，其中，所述第一公共电极与所述像素电极相交叠以形成存储电容，所述第二公共电极作为引线以连接位于同一行的或同一列的相邻的所述第一公共电极。

进一步的，所述第一公共电极的面积比所述第二公共电极面积大。

进一步的，所述公共电极包括一段所述第一公共电极。

进一步的，所述公共电极包括至少两段所述第一公共电极。

进一步的，第一公共电极采用透明材料，第二公共电极采用不透明材料。

进一步的，所述第二公共电极为双层薄膜结构。

进一步的，所述数据线、漏电极和源电极为双层薄膜结构。

进一步的，所述双层薄膜结构由透明导电薄膜和不透明导电薄膜所构成。

进一步的，所述透明导电薄膜材料为氧化铟锡或氧化铟锌，所述不透明导电薄膜材料为Cr、W、Ti、Ta、Mo、A1、Cu中的一种或至少两种以上组合形成的合金。

进一步的，所述公共电极全部采用透明材料。

进一步的，所述透明材料为氧化铟锡或氧化铟锌。

进一步的，所述TFT阵列结构还包括欧姆接触层，所述欧姆接触层形成于所述半导体有源层之上，且位于所述源电极和所述漏电极之下。

进一步的，所述欧姆接触层材料为掺杂非晶硅或掺杂多晶硅。

进一步的，所述TFT阵列结构还包括有机膜层，所述有机膜层形成于钝化层之上，且位于所述像素电极之下。

进一步的，所述有机膜层材料为丙烯酸树脂或聚酰亚胺。

进一步的，所述栅电极扫描线材料为Cr、W、Ti、Ta、Mo、A1、Cu中的一种或至少两种以上组合形成的合金。