[发明专利]形成金属互连层的方法

权利要求书

1.一种形成金属互连层的方法，包括：

在反应腔中执行在半导体衬底的绝缘层上形成沟槽和连接孔，并在沟槽的底部和侧壁上、连接孔的底部和侧壁上形成叠层阻挡膜；

在所述叠层阻挡膜的表面形成铜种子层；

从所述反应腔内取出后，置入预处理反应腔，对被空气污染的铜种子层进行氧化还原预处理；

在电镀设备中执行在所述铜种子层的表面形成铜电镀层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预处理在预处理反应腔内进行，采用的气体为氢气或者氨气。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预处理在采用氢气时，进一步包括氦气。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述氢气与氦气的比例为10∶90～2∶98。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氢气的流量为60～100标准立方厘米每分钟sccm。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预处理反应腔内所施加的高频射频功率为400～1000瓦；低频射频功率为5～200瓦。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预处理在室温下进行，所述室温在15～50摄氏度。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预处理的时间为1～100秒。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预处理反应腔与电镀设备在同一个机台集成。