[发明专利]铜互连方法有效
| 申请号： | 200910055938.2 | 申请日： | 2009-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101989569A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 刘盛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铜互连方法，采用蚀刻工艺在介质层上形成通孔，并在通孔中沉积扩散阻挡层和铜籽晶层后，该方法包括：
将晶圆从反应室中取出，在晶圆进入电镀槽之前，晶圆正面朝下并发生旋转；
采用电化学镀ECP生长铜互连层；
采用化学机械研磨CMP将铜互连层抛光至介质层表面，形成铜导线。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述旋转速度为800-1300转/分钟。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述旋转时间为10-30秒。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆发生旋转的方法为：采用机械臂将晶圆移动到电镀环上方，电镀环将晶圆吸附在其上后，电镀环在电机的驱动下在空中旋转，并带动晶圆在空中旋转。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
