[发明专利]电子封装用镀钨SiC颗粒增强铜基复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种电子封装用镀钨SiC颗粒增强铜基复合材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)原料的组分及体积百分比为：镀钨SiC颗粒50-75％，添加元素0.5-3％，Cu基体22-49.5％；所述添加元素为Fe、Co、Ni中的一种或几种；所述Cu基体中，Cu金属粉末为原料总体积百分比的10-20％，其余为Cu金属块；

2)将Cu金属粉末、添加元素粉末及镀钨SiC颗粒混粉，混粉时间为1-20小时，混粉转速为30-100转/分钟；

3)在50MPa-150MPa压强下，将混粉后的粉末压制成坯料；

4)将Cu金属块与压制成型的坯料在熔渗炉中进行熔渗；熔渗温度为1100-1350℃，熔渗气氛为氢气气氛；熔渗速度为2-5min/mm，熔渗时间＝熔渗速度×所制备的复合材料厚度；

5)对熔渗完成后的样品进行复压，复压压强为100-500MPa，复压时间为10秒-1分钟；制得电子封装用镀钨SiC颗粒增强铜基复合材料。

2.根据权利要求1的电子封装用镀钨SiC颗粒增强铜基复合材料的制备方法，其特征在于所述镀钨SiC颗粒，是采用溶胶-凝胶方法在表面预先镀覆一层金属钨的SiC颗粒，其颗粒粒度在1-50μm之间。