[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910056015.9 | 申请日： | 2009-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101989548A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有栅绝缘层，在所述栅绝缘层上具有栅层；
刻蚀所述栅层和所述栅绝缘层，形成栅极结构；
形成覆盖所述栅极结构的氮化物层；
刻蚀所述氮化物层，去除所述栅极结构顶部以及栅极结构的上部分侧壁上的所述氮化物层；
形成覆盖所述栅极结构及剩余的氮化物层的氧化物层；
在所述栅极结构两侧的半导体衬底中分别形成源极区和漏极区。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成覆盖所述栅极结构及剩余的氮化物层的氧化物层的方法为利用热氧化生长或原位蒸气的方法。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氮化物层的厚度为至
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氮化物层材料包括氮化硅或氮氧化硅。
5.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氮化物层覆盖栅极结构侧壁的高度，大于栅极结构侧壁高度的1/20，小于栅极结构侧壁高度的1/2。
6.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述刻蚀所述氮化物层的方法为干法刻蚀。
7.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
栅极结构，位于所述半导体衬底上；
氮化物层，位于所述栅极结构的靠近所述半导体衬底部分的侧壁上；
氧化物层，位于所述栅极结构及所述氮化物层外层，覆盖所述栅极结构及所述氮化物层；
源极区和漏极区，位于所述栅极结构两侧的半导体衬底中。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述氮化物层的厚度为至
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述氮化物层材料包括氮化硅或氮氧化硅。
10.根据权利要求9所述的半导体器件法，其特征在于，所述氮化物层覆盖栅极结构侧壁的高度大于栅极结构侧壁高度的1/20，小于栅极结构侧壁高度的1/2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
