[发明专利]掩模版图校正方法、掩模版图和掩模版制造方法

权利要求书

1.一种掩模版图校正方法，包括：

对掩模版图进行检查，选出其中间距小于光刻设备分辨率的至少一对掩模版图案对；

从每一对掩模版图案对中选出一个掩模版图案，根据旁瓣效应，形成与所述选出的掩模版图案对应的至少两个辅助图案，以替换所述选出的掩模版图案；其中，所述辅助图案的尺寸小于光刻设备分辨率尺寸，且所述辅助图案的中心位于以所述掩模版图案中心为圆心、旁瓣距离为半径的圆周上。

2.如权利要求1所述的掩模版图校正方法，其特征在于，所述从每一对掩模版图案对中选出一个掩模版图案，根据旁瓣效应，形成与所述选出的掩模版图案对应的至少两个辅助图案，以替换所述选出的掩模版图案，包括：将所述掩模版图案对分离成两组图案的集合，分别为第一组和第二组，其中，所述第一组中每个图案之间的间距超过分辨率，所述第二组中每个图案之间的间距也超过分辨率，并且第一组中的任一个图案与第二组图案中的一个图案相对应，构成所述掩模版图案对；

根据旁瓣效应，将第一组中每一个图案以至少两个辅助图案替换，其中，所述辅助图案的中心位于以所述掩模版图案中心为圆心、旁瓣距离为半径的圆周上。

3.如权利要求2所述的掩模版图校正方法，其特征在于，所述将第一组中每一个图案以至少两个辅助图案替换，包括：

以第一组中的每个图案为圆心、旁瓣距离为半径，形成圆周；

在所述圆周上形成多个任一方向的跨度都小于光刻设备分辨率的辅助图案。

4.如权利要求3所述的掩模版图校正方法，其特征在于，所述辅助图案为方形、矩形、圆形以及不规则形中的一种或多种。

5.如权利要求3所述的掩模版图校正方法，其特征在于，所述旁瓣距离根据曝光光线的波长、光刻设备的数值孔径以及曝光类型确定。

6.一种掩模版图，至少包括：一个掩模版图案以及两个辅助图案，其特征在于，每个所述辅助图案的尺寸小于光刻设备分辨率尺寸，所述辅助图案的中心共圆，所述共圆的圆心与所述掩模版图案的间距小于光刻设备分辨率尺寸且所述共圆的半径为旁瓣距离。

7.如权利要求6所述的掩模版图，其特征在于，所述旁瓣距离根据曝光光线的波长、光刻设备的数值孔径以及曝光类型进行确定。

8.如权利要求6所述的掩模版图，其特征在于，所述辅助图案为方形、矩形、圆形以及不规则形中的一种或多种。

9.如权利要求6所述的掩模版图，其特征在于，所述辅助图案的中心相对于所述圆心对称。

10.一种掩模版制造方法，包括：

提供掩模版图，所述掩模版图包括至少一个掩模版图案以及至少两个辅助图案，其中，每个所述辅助图案的尺寸小于光刻设备分辨率尺寸，所述辅助图案的中心共圆，所述共圆的圆心与所述掩模版图案的间距小于光刻设备分辨率尺寸，且所述共圆的半径为旁瓣距离；

根据所述掩模版图，制造掩模版。

11.如权利要求10所述的掩模版制造方法，其特征在于，所述旁瓣距离根据曝光光线的波长、光刻设备的数值孔径以及曝光类型进行确定。

12.如权利要求10所述的掩模版制造方法，其特征在于，所述辅助图案为正方形、矩形、圆形、不规则多边形中的一种或多种。

13.如权利要求10所述的掩模版制造方法，其特征在于，所述辅助图案的中心相对于所述圆心对称。