[发明专利]半导体器件的测试结构和测试方法

权利要求书

1.一种半导体器件的测试结构，其特征在于，包括：

位于晶片测试区的半导体基底；

测试图形，位于所述半导体基底上，所述测试图形包括窄测试导线、间隙带和宽测试导线，所述宽测试导线的轮廓为矩形，且所述间隙带沿所述矩形的长边方向贯通于所述矩形的两条短边之间，所述窄测试导线位于所述间隙带内，且沿所述矩形的短边向矩形中心方向，测试图形的厚度递减。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述间隙带和所述窄测试导线呈方波形、正弦波、三角波或者直线型分布。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述宽测试导线包括两个交错排列的梳齿部，两个所述梳齿部之间的缝隙为所述间隙带，且所述间隙带的宽度小于所述梳齿部的每根梳齿的宽度，所述间隙带的宽度大于窄测试导线的宽度。

4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括位于所述半导体基底上的子测试导线，其宽度和所述窄测试导线相同。

5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述矩形的长边长度小于或等于所述窄测试导线宽度的150倍。

6.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试图形的材料为铜。

7.一种半导体器件的测试方法，其特征在于，包括步骤：

提供位于晶片测试区的半导体基底；

在所述半导体基底上形成测试图形，所述测试图形包括窄测试导线、间隙带和宽测试导线，所述宽测试导线的轮廓为矩形，且所述间隙带沿所述矩形的长边方向贯通于所述矩形的两条短边之间，所述窄测试导线位于所述间隙带内，且沿所述矩形的短边向矩形中心方向，测试图形的厚度递减；

在所述窄测试导线的两端施加电压，并测试所述窄测试导线内的电流；

根据所述电流计算所述窄测试导线的电阻；

根据所述电阻计算窄测试导线的厚度，即宽测试导线的厚度；

根据所述宽测试导线的厚度得到所述宽测试导线的电阻。

8.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于，在所述半导体基底上形成测试图形的步骤包括：

在所述半导体基底上形成绝缘介质层；

对所述绝缘介质层进行刻蚀，在绝缘介质层中形成宽沟槽和窄沟槽，所述宽沟槽的外围构成矩形，且所述矩形的两条短边之间具有贯通的窄沟槽；

在所述宽沟槽、所述窄沟槽内以及所述绝缘介质层上形成导电层；

对所述导电层进行平坦化，使所述宽沟槽和所述窄沟槽以外的区域露出所述绝缘介质层，从而在所述宽沟槽的位置形成宽测试导线，在所述窄沟槽的位置形成窄测试导线。

9.根据权利要求8所述的测试方法，其特征在于，所述间隙带和所述窄测试导线呈方波形、正弦波、三角波或者直线型分布。

10.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于，所述宽测试导线包括两个交错排列的梳齿部，两个所述梳齿部之间的缝隙为所述间隙带，且所述间隙带的宽度小于所述梳齿部的每根梳齿的宽度，所述沟槽的宽度大于窄测试导线的宽度。

11.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于，还包括位于所述半导体基底上的子测试导线，其宽度和所述窄测试导线相同。

12.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于，所述矩形的长边长度小于或等于所述窄测试导线宽度的150倍。