[发明专利]光刻方法无效
| 申请号： | 200910056254.4 | 申请日： | 2009-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101995765A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 覃柳莎;安辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻方法，该方法包括：
对硅片表面进行清洗、脱水和成膜处理；在处理后的硅片表面旋涂一层光刻胶；在光刻胶表面旋涂一层水膜；在涂有水膜的光刻胶表面旋涂一层顶部抗反射层TARC膜；对涂有TARC膜的光刻胶依次进行对准、曝光和显影。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述水膜的成分为去离子水。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去离子水的用量为3～8毫升。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述旋涂TARC膜所用TARC溶液的用量为2.8～3.2毫升。
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