[发明专利]在沟槽底部形成通孔的方法无效
| 申请号： | 200910056454.X | 申请日： | 2009-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101996925A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;黄怡;尹晓明;沈满华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 底部 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在沟槽底部形成通孔的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供半导体衬底；
于所述半导体衬底上形成一介质层，所述介质层中具有沟槽；
在介质层的表面形成抗反射层，所述抗反射层覆盖沟槽底部和侧壁；
在抗反射层表面形成光刻胶层；
图形化所述光刻胶层；
以图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀抗反射层和介质层。
2.根据权利要求1所述的在沟槽底部形成通孔的方法，其特征在于，所述抗反射层的厚度范围是100nm至200nm。
3.根据权利要求1所述的在沟槽底部形成通孔的方法，其特征在于，所述抗反射层的构成材料选自于氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的在沟槽底部形成通孔的方法，其特征在于，所述抗反射层的构成材料选自于金属和金属氮化物中的一种或两种。
5.根据权利要求4所述的在沟槽底部形成通孔的方法，其特征在于，所述金属材料选自于钛和钽中的一种或两种。
6.根据权利要求4所述的在沟槽底部形成通孔的方法，其特征在于，所述金属氮化物的材料选自于氮化钛和氮化钽中的一种或两种。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的在沟槽底部形成通孔的方法，其特征在于，所述刻蚀抗反射层的工艺采用干法刻蚀。
8.根据权利要求7所述的在沟槽底部形成通孔的方法，其特征在于，在所述干法刻蚀中采用含有氯气的气体作为刻蚀气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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