[发明专利]薄膜晶体管阵列基板制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供一基板，并该基板上形成一第一金属层和一第一光刻胶层，利用一第一光罩在该第一金属层之上形成一第一光刻胶图案，其具有栅线区、栅极区和栅焊盘区，其中覆盖该栅线和栅极区的光刻胶层具有第二高度，覆盖该栅焊盘区的光刻胶层具有第一高度，该第二高度小于该第一高度；

以该第一光刻胶图案为掩模，去除部分第一金属层，以形成一包含栅线、栅极和栅焊盘下电极的第一导电图案层；

去除第二高度光刻胶层，同时减薄了第一高度的光刻胶层；

在基板上依次沉积一栅绝缘层、一半导体层和一欧姆接触层；

去除剩余的第一高度的光刻胶层，同时也将其上的栅绝缘层、半导体层以及欧姆接触层一同去除，以暴露被该具有第一高度的光刻胶层所覆盖的栅焊盘下电极；

在该基板上继续依次沉积一第二金属层和一第二光刻胶层，利用一第二光罩在该第二金属层之上形成一第二光刻胶图案，其具有一沟道区、一数据线和源极区、以及一漏极和数据焊盘、栅焊盘区，覆盖该沟道区的光刻胶层具有第四高度，覆盖该数据线、源极区、漏极区、数据焊盘区和栅焊盘区的光刻胶层具有第三高度，且该第三高度＞第四高度；

以该第二光刻胶图案为掩模，去除没有光刻胶部分的第二导电金属层、半导体层以及欧姆接触层后，去除具有第四高度的光刻胶图案，同时减薄具有第三高度的光刻胶图案，在经过蚀刻，以形成源极、漏极、沟道以及数据线下电极和数据焊盘下电极；

在该基板上继续沉积一透明导电层和一第三光刻胶层，利用一第三道光罩形成一第三光刻胶图案，覆盖数据焊盘区、栅焊盘区和像素区的光刻胶层具有第六高度，覆盖数据线和源极区、漏极区的光刻胶层具有第五高度，其它地区无第三光刻胶层，且该第五高度小于第六高度；

以该第三光刻胶图案为掩模，形成像素电极、源极上电极、漏极上电极以及数据线上电极和数据焊盘上电极、栅焊盘上电极；

去除第五高度第三光刻胶层，同时减薄了第六高度的第三光刻胶层，继续沉积钝化层，去除剩余的第六高度的第三光刻胶层，同时也将其上的钝化层一同去 除，以暴露被该具有第六高度的光刻胶层所覆盖的像素电极、数据焊盘和栅焊盘上电极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，所述第一光罩，第二光罩和第三光罩都为多灰阶光罩。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，所述减薄光刻胶层部分厚度的方法包括等离子体灰化工序。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，所述去除剩余光刻胶层的方法包括剥离工序。