[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 200910056518.6 | 申请日： | 2009-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101996898A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘钊;朱虹;徐锦心;奚民伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L27/146;H01L23/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴靖靓;李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：
提供晶圆的封装结构，所述晶圆的封装结构包括硅衬底、形成于硅衬底上的图像传感区和电极垫、以及连接所述电极垫的连接结构；
用压模法在所述晶圆的封装结构对应图像传感区的表面覆盖聚光树脂。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述聚光树脂的材料为硅胶或环氧树脂。
3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述连接结构采用玻璃上贴片封装工艺形成。
4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，形成所述连接结构包括：
提供透光基板，所述透光基板包括形成有金属导电路径的第一表面；
形成连接所述硅衬底上的电极垫和透光基板表面的金属导电路径的第一焊球；
在硅衬底上的电极垫和透光基板表面的金属导电路径之间填涂涂胶层；
形成连接所述透光基板表面的金属导电路径的第二焊球。
5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述透光基板还包括相对于所述第一表面的第二表面，所述聚光树脂覆盖在所述透光基板的第二表面。
6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述连接结构采用硅片直通孔封装工艺形成。
7.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：
晶圆的封装结构，包括硅衬底、形成于硅衬底上的图像传感区和电极垫、以及连接所述电极垫的连接结构；
聚光树脂，用压模法覆盖在所述晶圆的封装结构对应图像传感区的表面。
8.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述聚光树脂的材料为硅胶或环氧树脂。
9.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述晶圆的封装结构为玻璃上贴片封装结构。
10.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述连接结构包括：
透光基板，包括形成有金属导电路径的第一表面；
第一焊球，连接所述硅衬底上的电极垫和透光基板表面的金属导电路径；
第二焊球，连接所述透光基板表面的金属导电路径；
涂胶层，填涂于硅衬底上的电极垫和透光基板表面的金属导电路径之间。
11.根据权利要求10所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述透光基板还包括相对于所述第一表面的第二表面，所述聚光树脂覆盖在所述透光基板的第二表面。
12.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述晶圆的封装结构为硅片直通孔封装结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910056518.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高温高压双联阀
- 下一篇：自动控制组合电源开关
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
