[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 200910056523.7 | 申请日： | 2009-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101996899A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘钊;朱虹;徐锦心;奚民伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L27/146;H01L23/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴靖靓;李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，所述晶圆包括形成有图像传感区和电极垫的正面及相对于所述正面的背面；
用压模法在所述晶圆正面覆盖树脂层。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述图像传感区包括微透镜，所述树脂层的折射率小于所述微透镜的折射率。
3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述树脂层的折射率小于或等于1.5。
4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述树脂层的材料为硅胶或环氧树脂。
5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述树脂层的厚度为200μm～700μm。
6.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述树脂层的厚度为400μm。
7.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，用压模法在所述晶圆正面覆盖树脂层后，还包括：在所述晶圆背面形成连接所述电极垫的连接结构。
8.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，在所述晶圆背面形成连接所述电极垫的连接结构包括：
研磨所述晶圆背面；
在所述晶圆背面形成通孔，以暴露出所述电极垫；
在所述晶圆背面和通孔表面形成保护层，并去除所述电极垫表面的保护层；
填充所述通孔并在通孔表面形成通孔接触；
在所述通孔接触表面形成焊块。
9.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，在所述晶圆背面形成连接所述电极垫的连接结构后，还包括：在所述树脂层上增加透镜单元。
10.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，在所述树脂层上增加透镜单元包括：用压模法在所述树脂层上覆盖聚光树脂。
11.根据权利要求10所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述聚光树脂的材料为硅胶或环氧树脂。
12.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，在所述树脂层上增加透镜单元包括：用透镜支架将聚光透镜固定在树脂层上方。
13.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：
晶圆，包括形成有图像传感区和电极垫的正面及相对于所述正面的背面；
树脂层，用压模法覆盖在所述晶圆正面。
14.根据权利要求13所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述图像传感区包括微透镜，所述树脂层的折射率小于所述微透镜的折射率。
15.根据权利要求14所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述树脂层的折射率小于或等于1.5。
16.根据权利要求15所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述树脂层的材料为硅胶或环氧树脂。
17.根据权利要求13所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述树脂层的厚度为200μm～700μm。
18.根据权利要求17所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述树脂层的厚度为400μm。
19.根据权利要求13所述的CMOS图像传感器，还包括：连接所述电极垫的连接结构，形成在所述晶圆背面。
20.根据权利要求19所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述连接结构包括：
通孔，形成在所述晶圆背面，并暴露出所述电极垫；
保护层，形成在所述晶圆背面和通孔表面，并暴露出所述电极垫；
导电材料，填充所述通孔；
通孔接触，形成在通孔表面并连接所述导电材料；
焊块，形成在所述通孔接触表面。
21.根据权利要求19所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：树脂层上的透镜单元。
22.根据权利要求21所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述透镜单元包括聚光树脂，用压模法覆盖在所述树脂层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
