[发明专利]半导体器件灰化制程的检测方法和电特性的检测方法有效
| 申请号： | 200910056617.4 | 申请日： | 2009-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101996909A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 曾德强;吴永皓;段晓斌;杨荣华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;B07C5/04;H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 灰化 检测 方法 特性 | ||
1.一种半导体器件的灰化制程的检测方法，包括：
提供至少两个半导体基底，所述至少两个半导体基底表面均具有第一浓度的掺杂离子；
对所述至少两个半导体基底分别进行不同程度的灰化，在所述至少两个半导体基底上分别形成不同厚度的氧化层；
测试灰化后的所述至少两个半导体基底的氧化层的厚度；
挑选出符合氧化层厚度要求的半导体器件，其中符合氧化层厚度要求的半导体器件对应的灰化制程为标准灰化制程。
2.如权利要求1所述的半导体器件的灰化制程的检测方法，其特征在于，所述氧化层的厚度范围为大于等于5埃至小于等于20埃。
3.如权利要求1所述的半导体器件的灰化制程的检测方法，其特征在于，所述测试灰化后的所述至少两个半导体基底的氧化层的厚度，还包括：对所述至少两个半导体基底进行电特性测试，绘制氧化膜厚度与电特性的关系图。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的半导体器件的灰化制程的检测方法，其特征在于，所述半导体器件为晶圆。
5.如权利要求4所述的半导体器件的灰化制程的检测方法，其特征在于，所述灰化制程是晶圆形成的前段工艺中的源漏极形成的灰化制程。
6.如权利要求4所述的半导体器件的灰化制程的检测方法，其特征在于，所述掺杂离子为硼(B)、铟(In)、磷(P)或砷(As)离子。
7.如权利要求4所述的半导体器件的灰化制程的检测方法，其特征在于，所述对所述至少两个半导体基底分别进行不同程度的灰化，是为了去除所述半导体基底上的光阻层。
8.一种检测半导体器件的电特性的方法，包括：
提供半导体衬底，部分所述半导体衬底被光阻层覆盖；
采用灰化工艺去除所述光阻层，在所述半导体衬底的裸露部分形成有氧化层；
检测所述氧化层的厚度，以判断所述半导体器件的电特性。
9.如权利要求6所述的检测半导体器件的电特性的方法，其特征在于，所述氧化层的厚度范围为大于等于5埃至小于等于20埃。
10.如权利要求8或9所述的检测半导体器件的电特性的方法，其特征在于，所述半导体器件为晶圆。
11.如权利要求4所述的检测半导体器件的电特性的方法，其特征在于，采用灰化工艺去除所述光阻层是晶圆形成的前段工艺中的源漏极形成的制程。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
