[发明专利]去除阻挡层和介质层中污染物颗粒的方法

权利要求书

1.一种去除阻挡层和介质层中污染物颗粒的方法，采用明场扫描方法BFI检测出第一阻挡层、第一介质层、第二阻挡层、第二介质层或第三阻挡层中掺杂有污染物颗粒的晶圆后，其特征在于，该方法包括：

采用化学机械研磨工艺CMP依次去除第三阻挡层、第二介质层、第二阻挡层、第一介质层和第一阻挡层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当采用CMP去除第一介质层和第一阻挡层时，先去除第一介质层厚度的0％至65％，然后去除剩余的第一介质层，其次去除400A至550A的第一阻挡层，最后去除剩余的第一阻挡层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当采用CMP去除第三阻挡层时，采用型号为1501的研磨浆对第三阻挡层进行研磨，研磨盘与研磨头的相对角速度小于93/87，研磨头底面的第二区域与第三区域对研磨面施加的压力之比大于1.42，且研磨头底面的第三区域对研磨面施加的压力为2.2帕斯卡至2.6帕斯卡。

4.根据要求2所述的方法，其特征在于，当采用CMP去除第二介质层时，采用型号为CES333的研磨浆对第二介质层进行研磨，研磨盘的角速度小于73转/分钟，研磨头的角速度小于67转/分钟，研磨头底面的第二区域与第三区域对研磨面施加的压力之比为0.8至1.2，且研磨头底面的第三区域对研磨面施加的压力为2.5帕斯卡至3.4帕斯卡。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当采用CMP去除第一介质层厚度的0％至65％和第二阻挡层时，采用型号为1501的研磨浆进行研磨，且研磨盘与研磨头的相对角速度小于93/87，研磨头底面的第二区域与第三区域对研磨面施加的压力之比大于1.42，且研磨头底面的第三区域对研磨面施加的压力为2.2帕斯卡至2.6帕斯卡。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当采用CMP去除剩余的第一介质层和400A至550A的第一阻挡层时，采用型号为1501的研磨浆进行研磨，且研磨盘的角速度小于73转/分钟，研磨头的角速度小于67转/分钟，研磨头底面的第二区域与第三区域对研磨面施加的压力之比大于1.42，且研磨头底面的第三区域对研磨面施加的压力为0.5帕斯卡至0.82帕斯卡。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当采用CMP去除剩余的第一阻挡层时，采用型号为T805的研磨浆进行研磨，且研磨盘的角速度小于73转/分钟，研磨头的角速度小于67转/分钟，研磨头底面的第一区域与第二区域对研磨面施加的压力之比为1.8至2.2，研磨头底面的第二区域与第三区域对研磨面施加的压力之比为0.8至1.2，且研磨头底面的第三区域对研磨面施加的压力为1.1帕斯卡至2帕斯卡。