[发明专利]双镶嵌结构的形成方法及半导体结构

权利要求书

1.一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供带有金属布线层的半导体衬底；

在金属布线层上依次形成阻挡层、层间绝缘层、保护层；

在保护层表面形成第一光刻胶图形；

以所述第一光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀保护层、部分层间绝缘层，形成沟槽；

去除第一光刻胶图形；

形成填充所述沟槽并位于保护层表面的底部抗反射层；

在所述底部抗反射层表面形成隔离层；

在所述隔离层表面形成第二光刻胶图形；

以所述第二光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀隔离层、底部抗反射层、层间绝缘层和阻挡层直至暴露出金属布线层，形成接触孔；

去除第二光刻胶图形、隔离层和底部抗反射层。

2.如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述双镶嵌结构的形成方法，还包括：

在所述隔离层表面形成第二光刻胶图形步骤中形成错误的光刻胶图形需要返工时，

去除所述错误的光刻胶图形；

在所述隔离层表面重新形成第二光刻胶图形。

3.如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层材料选自低温氧化硅材料。

4.如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层厚度为1000埃至1500埃。

5.如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的形成温度为200摄氏度至220摄氏度。

6.如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的形成工艺为等离子体辅助增强化学气相沉积工艺。

7.如权利要求6所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：所述形成隔离层的具体工艺参数为：沉积设备腔体压力为0.5托至3托，沉积温度为200摄氏度至220摄氏度，射频功率为500瓦至1000瓦，SiH₄流量为每分钟100标准立方厘米至每分钟200标准立方厘米，N₂O流量为每分钟10000标准立方厘米至每分钟20000标准立方厘米，N₂流量为每分钟1000标准立方厘米至每分钟2000标准立方厘米。

8.如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述底部抗反射层形成工艺为旋涂工艺。

9.如权利要求8所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，所述旋涂工艺的具体参数为：旋涂的加速时间为0.5秒至1秒，旋涂的转速为1200转/分钟至2000转/分钟，旋涂时间为20秒至50秒，旋涂的减速时间为0.5秒至1秒。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的金属布线层；

位于所述金属布线层上的阻挡层；

位于所述阻挡层上的层间绝缘层；

位于所述层间绝缘层上的保护层；

沟槽，贯穿所述保护层并位于所述层间绝缘层内；

底部抗反射层，填充所述沟槽并位于所述保护层表面；

位于所述底部抗反射层上的隔离层。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层材料选自低温氧化硅材料。

12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层厚度为1000埃至1500埃。

13.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述层间绝缘层材料选自碳掺杂的氧化硅。

14.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述层间绝缘层厚度为3500埃至4500埃。